RC和RCD吸收哪个好???

自己先顶一下!!!RCD吸收的电阻和电容的参数不对.呵呵!!!

那不是RCD吸收,是钳位,把R和D并联就对了

原理分析是RCD更好,在不发生谐振的情况下MOS关闭后C会储存电荷,电位等于VCC.
MOS再次开通时C储存电荷对其放电,会有一尖峰电流,MOS会增加功耗,EMC也差.如果有D就可以避免此现象.

你说的是G和S端的那个DIODE是吗?

R3和D1

我仿真了,上面的RCD的电阻电容参数不对.昨天做了一下试验,感觉还行.比用RC的会好.RC的吸收在电路工作的时候会有很大的功耗.而RCD就好多了.如果说工作在D=0.5的情况下,那么电阻的损耗也就只有D=0时的一半了.
不知道我这样说对吗?

那样的话不还是RC吸收了吗?C上面的能量不是还要加一部分到MOS管上了???

你说的这么并法,我也见过.不过这样子R3又要取很小了.

请问各位,上图中的RCD电路放在桥式电路中,要在变压器上串一个隔直电容吗?

我觉的D1调一下MOS关断时才起到吸收的作用!!!
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你觉得是把RD并联是吗?

no!是把D1正负调一下!
不过要看什么电路了.如反激式!
以上是我个人发表意见!!!

MOS管内有一个二极管
做为变压器续流用的.这个RCD它是用来做关断吸收的.

RCD不可以在桥式电路里做吸收的.那样要炸管子的

你的2图里的D1和R3应该并联才是RCD吸收电路.当Q1关断时,通过D1对C1充电,从而减小Q1的DS两端的电压上升率,当Q1开通时,C1通过R3和Q1放电.而RC吸收电路的话在开关开通和关断时都需要在电阻上消耗能量,效率低.

按我的图,开关关断时也是通过D1对C充电,而开关关断时,则是通过R3放电呀!

这样C上面的能量就不要通过开关来释放了.
若把R3和D1并的话,C放电时还是会给开关带来功耗的.

你这种RCD形式,在开关关断一瞬间的时候,是通过D来对C充电的,但稍后就会有电流流过R,所以开关关断过程中电阻会消耗能量,而开通时,C通过R放电,也消耗能量.
这只是我的看法,不一定正确.

楼主这种接法不同之外就是:在MOSFET开通时:C所存储的能量是直接通过电阻R放电,没有经过MOSFET,不过这种方法是否比常规的通过MOSFET加上R放电效果要好:需要做一下测试作对比就知道哪种效果最佳．原理都是一样!!

请指点!!

我在调节开关频率时如果用RC吸收的话,可以很明显的看到频率高时功耗就大了.而用RCD时就不会有这样子的问题.

你后面是什么电路?要看你什么是路了!
如果是开关电源你的D  R  一定很烫!

是一个全桥的开关电源.R是很烫.不过D不怎么烫.

我想, C上的电壓可大於Ecc, 若有D, 則除了C不经開關放电外, 還減少在「死區」丞受過壓的時间.

为什么说这样的RCD不可以在桥式电路中做吸收呢?

在书上看到一些正激的电路图,用我上面那样的RCD,都直接构成直流通路了.那些作者应该不会看不懂吧!真奇怪!

XUE007说的会炸管是为什么呀?你说的应该是电路上没有串隔直电容对吗?
如果串了应该不会吧!还请说一下理由.让我这样的电源新手学学.谢谢!

空载功耗大,是否选用要看情况

可是在大功率的电源中这种损耗还是算小的呀.毕竟在开启的时候瞬间冲击小了不少.

请问楼主,你用的RCD中R、C的计算方式是怎么计算的啊!
望教教我这个开关电源新手了

D1 D3用的是什么管子呢

D3是MOS内部的,我外面是用HER505,因为频率比较高.RC要看充放电常数.要看你电路的时间常数.

你说的充放电时间常数就是脉冲信号的占空比吗?