会的`````
怎么才10W就热成这样吖？我以前做20W```MOS才不到50度
输入110V/220V，50Hz；输出规格40V/300mA；系统频率选用50kHz，变压器选用EE13绕制，4.2mH；MOS选用2N60 TO-251封装。最终测试效率110V—80％，220V－75％，效率感觉有点低，且MOS和变压器发热严重。
电感选用EC2510的绕制之后，效率可以提高5％，看来跟变压器选用有很大关系，如果MOS选用4N60 TO－252封装且在电路板上印制散热铜皮，效果应该会好些。
但是关键是模具腔体所限，只能使用EE13的磁心绕制电感，所以郁闷当中，不知道有没有大虾给点好的建议。
不清楚什么原因，帮顶一下
D4改反向恢復時間快一點的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c
可以把電感改小,也能適量調高頻率 ,我試過參數66k時3.3mH,130K時1mH都還穩定
mosfet如果質量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試
如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本
D4改反向恢复时间快一点的二极体,最好能够有35ns以下,例如byv26c
可以把电感改小,也能适量调高频率,我试过参数66k时3.3mH,130K时1mH都还稳定
mosfet如果质量不好也会有影响,可以试看换个厂牌试
如果频率高些,可以用工字电感,省空间,也能降低成本
