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抗浪涌

 
  
新手请教各位上面是如何抗浪涌的？具体是如何工作哈
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cheng111
LV.11
2
2011-02-24 22:36

上面的图看不了？

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on_the_way_li
LV.9
3
2011-02-25 08:46

图！

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陈玉鸣
LV.2
4
2011-02-25 08:53
@cheng111
上面的图看不了？
现在看得了了吧
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on_the_way_li
LV.9
5
2011-02-25 10:31

我来分析下：

一上电时，C6充电，但电压较低，MOSFET不工作，大电流通过RT1流过，在电流较大时，产生的压降在R4上，使得Q1导通，这样MOSFET更不能导通了。只有在RT1上电流小到一定程度后，Q1关闭，C6充电，Q2才能导通，启动完成。

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perterlong
LV.6
6
2011-02-25 16:49
@on_the_way_li
我来分析下：一上电时，C6充电，但电压较低，MOSFET不工作，大电流通过RT1流过，在电流较大时，产生的压降在R4上，使得Q1导通，这样MOSFET更不能导通了。只有在RT1上电流小到一定程度后，Q1关闭，C6充电，Q2才能导通，启动完成。

新人迷惑中。。。。求正解~！

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陈玉鸣
LV.2
7
2011-02-25 19:06
@on_the_way_li
我来分析下：一上电时，C6充电，但电压较低，MOSFET不工作，大电流通过RT1流过，在电流较大时，产生的压降在R4上，使得Q1导通，这样MOSFET更不能导通了。只有在RT1上电流小到一定程度后，Q1关闭，C6充电，Q2才能导通，启动完成。
有道理！
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cheng111
LV.11
8
2011-02-25 23:52
@on_the_way_li
我来分析下：一上电时，C6充电，但电压较低，MOSFET不工作，大电流通过RT1流过，在电流较大时，产生的压降在R4上，使得Q1导通，这样MOSFET更不能导通了。只有在RT1上电流小到一定程度后，Q1关闭，C6充电，Q2才能导通，启动完成。
附议。
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ta7698
LV.9
9
2011-02-26 07:39
@on_the_way_li
我来分析下：一上电时，C6充电，但电压较低，MOSFET不工作，大电流通过RT1流过，在电流较大时，产生的压降在R4上，使得Q1导通，这样MOSFET更不能导通了。只有在RT1上电流小到一定程度后，Q1关闭，C6充电，Q2才能导通，启动完成。
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黑色
LV.4
10
2011-03-09 09:59
@ta7698
[图片]

学习，

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wwy_0168
LV.2
11
2011-03-10 21:34

这是抗上电冲击吧！

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川野
LV.7
12
2011-03-22 13:02

这个电路要是能再精减一下就好了。

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grtang
LV.7
13
2011-03-22 13:51
@川野
这个电路要是能再精减一下就好了。
MOSFET的GS直接并一个电容，也是可以起到这个作用。一个电阻一个电容一个MSOFET组成。要效果好，还是用专门的IC，就是价格贵。
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vickersguo
LV.1
14
2011-12-13 11:28
@on_the_way_li
我来分析下：一上电时，C6充电，但电压较低，MOSFET不工作，大电流通过RT1流过，在电流较大时，产生的压降在R4上，使得Q1导通，这样MOSFET更不能导通了。只有在RT1上电流小到一定程度后，Q1关闭，C6充电，Q2才能导通，启动完成。

学习了，能否将此电路参数贴出来，参考一下。

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