单端反激式电源,在主功率MOSFET关断的时候,由于变压器漏感及MOSFET节电容、分布电容的存在,会产生幅值很高的振荡。这个原级的振荡波形会通过变压器传递至次级。而当MOSFET关断的时候,反激变压器的次级正好处于导通状态,振荡波形形成噪声,叠加在直流输出波形上.......
目前,完全解决这种噪声的方法不太多。分析其产生根源,我们可以降低变压器的漏感,从而降低整档所产生的尖峰电压峰峰值,但由于大部分电源厂商不生产变压器,而大批量生产又不可能对变压器漏感进行逐一测试,所以我们经常在电路上做优化处理。
目前主要的优化措施有RCD吸收、RC吸收,但不知有没有人对RC吸收和RCD吸收的效果做过比较?