比较喜欢用TL494.

我理解你说的意思，不过呢，这里的情况其实不一样：因为deltB不是从0开始算的，而是最大值减去最小值，连续模式下，B值是不会复位到0的。当直流偏置电流增加的时候，deltB并不是变大，而是变小；这就意味着，当deltB增大的时候，偏置电流是减小的，磁芯是不容易饱和的，当然其最大值也就不是更接近Bmax，而是远离Bmax。是否饱和，最主要的原因还是直流偏置，这也是输出滤波电感要用有气隙或者均匀气隙的电感的原因。我是测过的，有些情况下不明显，与稳态点的占空比有关系。我做过的东西都是大功率，反激以前我不重视，通过这个贴的讨论，对反激清晰了很多。 

请看“deltB的变大，就意味着deltB的最大值就会越接近Bmax”这句话应该改为“deltB的变小，就意味着deltB的最大值就会越接近Bmax”输入电压降低的时候，deltI是会减小的，纹波电流也是会减小的。至于你信服谁，这是你的事情，我在论坛只是指出别人的不足，也欢迎别人指出我的不足。别人反对我，我不会说“请自重”这样搞笑的话。

好，非常欢迎深入讨论问题。第一：在CCM模式下，随着输入电压的减小，占空比增大，根据伏秒积守恒Vin*Ton=Vr*(1-Ton)，Vr不变，所以此时伏秒积最小，相关解释也可以参考BODE的解释。在实际中，想提高反激的效率，工程师都是考虑CCM，而不是DCM。第二：deltB越小的时候B会越大，而不是第50贴所说的"deltB越大B就越大"。第三：不能光凭感觉就说Ton越大，伏秒积就越大，事实上是越小，原因已经在第一点中说清楚了;又Vin=L*deltI/Ton，也即Vin*Ton=L*deltI，所以说输入电压越低，deltI最小，对应于25贴的图形，既然deltI最小，此时的deltH=deltI*N/l(l是磁路长度)也最小，那么deltB当然也是最小的。你如果不相信，自己拿示波器去测试，输出功率不变的时候，输入电压减小，看看到底deltI是增大还是减小；想要获得自信最好的办法就是自己的实践验证了自己的推理。为什么我总是要指出版主的错误，原因就是版主的话，影响的范围太宽了；别人说话可以措辞不严谨，但是对于版主，措辞必须严谨。

说实话，我不明白哪里攻击你了，我所说的只不过是你的观点有错误而已。并且这种观点显然很多人已经采信了。你所述的“deltB越大B就越大”，的确是欠缺考虑的。我所说的不要相信高手，不过是希望每一个工程师相信自己而已。既然是论坛，当然要把技术问题辨明白，如果做产品，我从来不会这么去深究，只要符合我提出的技术要求就OK了。

82贴的说法没错，说明版主后来进行了进一步的思考。使用那个公式得说明用在断续模式。不过deltI的写法会有歧义，很多初学者很容易混淆，往往把断续模式的公式应用在连续模式；国内很多写书的“教授”引用这个公式都是错的。气隙增大，deltB并不会增大，只是同样的deltB对应的deltH变大了。

还是正激楼主对正激理解比较深刻，赞一个。

电容有耦合作用，电容越大，耦合作用越强；加电容后，PIN4的锯齿波耦合到PIN3。

认同楼主的说法，原因很多，不过调机的过程中，环路不稳定占的比例较大。

这个电路，我在风光互补控制器上用过，使用单片机控制。