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反激电源中VOR电压(反射电压)的实质到底是什么

     反射电压VOR,我的理解是当MOS关断时,副边电压感应到原边的电压。但是今天看到一个帖子,其中一部分内容在探讨VOR反射电压的问题,总结一下,关于VOR大致有两种说法:

1、“VOR,就是指的原边的放电电压.原边其实就是相当于一个电感,在开关管开通的时候,原边被加上直流高压VS,电感电流线性的上升,开关管关断的时候,电感放电,这时个电感电流会下降,电感是以什么样的电压在放电呢,就是以这个VOR的值在放电,若是VOR大,则放电就快,电感电流下降的波形就比较陡,小的话,就慢,下降的就平缓.VOR就是开关管关断的时候原边电感的放电电压,这个电压感应到副边,就形是输出电压,这个输出电压是被后面的稳压管稳住的,所以VOR也是被稳住的。”

2“VOR就是开关管关断的时候原边电感的放电电压,这个电压感应到副边,就形是输出电压,这个输出电压是被后面的稳压管稳住的,所以VOR也是被稳住的”.这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!此时,变压器次边绕组正向感应电压使整流管导通,对负载放电.由于次边绕组有电流流过,在原边相反方向,形成电压Vor,此为反激电压.反激电压和原边漏感形成的电压尖峰包括直流电压叠加在开关关上.副边电压非原边Vor感应,而应是次边导通感应到原边的!!

 

    对于第一种说法,我有些不认同。在这里很跟大家讨论一下这个VOR,到底是如何产生的?

     另外:

1、在选择MOS时,通常看到的公司是:

Vdss>Vor+Vmargin+Vdcmax+Vspike

或者Vdss>Vor+vmargin+Vdcmax,其中Vmargin是余量,Vspike 漏感引起的尖峰电压
     想知道在选择MOS的时候Vspike要不要加以考虑(前提存在RCD吸收电路)?这个值选多大?

2、图中的RCD吸收电路,只是吸收mos管关断时所引起的电流和漏感尖峰电压吗?

反射电压VOR是否会被RCD电路吸收?
   

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2011-03-01 18:14
看看我的帖子,跟我学系列之四吧。
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cheng111
LV.11
3
2011-03-01 19:36
2.如果反射电压是会被吸收一点(在设计正常的情况下),但是能量很小。如果设计不合理,就会出问题。
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lgdyl1983
LV.2
4
2011-03-01 22:30
@让你记得我的好
看看我的帖子,跟我学系列之四吧。

谢谢,你的帖子最近也在开始拜读呢

0
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2011-03-04 17:02
@cheng111
2.如果反射电压是会被吸收一点(在设计正常的情况下),但是能量很小。如果设计不合理,就会出问题。

同意第一种说法,另外我觉得反射电压如果不会被吸收,,除非是尖峰电压,求高人解答

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2011-03-07 20:11
@tornadojie
同意第一种说法,另外我觉得反射电压如果不会被吸收,,除非是尖峰电压,求高人解答

在其它DCDC拓扑架构中指的又是什么呢?

比如z正激、LLC、全桥

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Duida
LV.1
7
2011-03-08 12:27
第二种说法是对的
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eqver
LV.4
8
2011-03-09 20:40

看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来

1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。

2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。

3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。

4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。

5、建议楼主重新看看变压器理论。

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eqver
LV.4
9
2011-03-09 20:42
@tornadojie
同意第一种说法,另外我觉得反射电压如果不会被吸收,,除非是尖峰电压,求高人解答
反射电压当然不能吸收,反射电压是用来磁复位的;尖峰电压是由于漏感引起的,与反射电压无关。
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2011-03-09 21:06
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。

能不在说一下磁复位这个概念呢

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2011-03-09 21:09
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
电磁感应定律,我赞同
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eqver
LV.4
12
2011-03-09 21:36
@x15190173379
能不在说一下磁复位这个概念呢
所谓的磁复位就是正向的伏秒数一定要等于反向的伏秒数,否则,就会出现磁偏现象,对于无气隙的铁氧体来说,磁偏的积累很容易就导致磁饱和。
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angushua
LV.1
13
2011-03-10 16:11
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
赞同这个观点。解释的很清楚。。变压器在不同的拓扑定义是不一样的
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2011-03-11 20:55
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
嗯,我的理解也是这样的。
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ncy231
LV.7
15
2011-11-04 14:32
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
赞同,学习了
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nichoson
LV.4
16
2012-07-20 15:37
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
应是这样
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2012-07-21 16:07
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
非常赞成。。。
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mko145
LV.8
18
2012-07-21 18:29
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。
这么多人都说同意 8帖的观点, 不知道大家有没有仔细看过 ~

“1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。” 
-- 为啥次级的电压要往初级耦合?根本没有做解释,还有人说解释的很清楚?

“2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。”
--- 这话说的,有两个耦合绕组的电感不是变压器是什么?

“3..........储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。
--- 什么逻辑?到底是电压决定电流变化,还是电流变化决定了输出电压的大小?

”4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。“
--- 不知道要说明什么?
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黄燚
LV.7
19
2013-10-04 14:33
@mko145
这么多人都说同意8帖的观点,不知道大家有没有仔细看过~“1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。” --为啥次级的电压要往初级耦合?根本没有做解释,还有人说解释的很清楚?“2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。”---这话说的,有两个耦合绕组的电感不是变压器是什么?“3..........储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。---什么逻辑?到底是电压决定电流变化,还是电流变化决定了输出电压的大小?”4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。“---不知道要说明什么?
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abccba
LV.9
20
2013-10-04 18:03

反射电压VOR是否会被RCD电路吸收?
  

个人观点是:只要VOR存在,MOS的D极电压就高于Uin,除去二极管导通电压的电压都加载RCD电路中的R上,功耗是不可避免的。这可以通过VDS波形观测到。所以RCD电路设计时,应该适当考虑加大R阻值,以便减小这个功耗。(看电路说话,非经验说法)

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2013-10-06 10:00
@eqver
看楼主说了一堆,也没有说出个所以然来1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压。2.需要理解的一点是,反激变压器实质不是一个变压器(正激变压器),而是一个具有两个耦合绕组的电感。3.楼主说“这分析是错误的!原边开关管导通变压器储能,是磁场的能量!开关管截至,原边绕组就没有电流流过,怎么感应到次边,能量是磁场传递的,没有电流哪来的磁场!”,你的理解是错误的,储存在电感中的能量通过二极管释放的时候,电流是呈阶梯斜度减小,电感中的电流变化,当然会在副边感应出感应电压。4.只要绕在磁芯上面的电感,其线圈中有电流流过,就会有磁通;只要电流变化,磁通就会变化;磁通变化,就会感应出电压。5、建议楼主重新看看变压器理论。

“1.反射电压,就是副边电压耦合到原边的电压” 基本正确,但是准确地说,应该是副边电流耦合到原边的电压。

 

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2013-10-06 11:43
@eqver
所谓的磁复位就是正向的伏秒数一定要等于反向的伏秒数,否则,就会出现磁偏现象,对于无气隙的铁氧体来说,磁偏的积累很容易就导致磁饱和。
非常棒 一说就重点 
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杰克0
LV.4
23
2014-04-21 22:18
@abccba
反射电压VOR是否会被RCD电路吸收?  [图片]个人观点是:只要VOR存在,MOS的D极电压就高于Uin,除去二极管导通电压的电压都加载RCD电路中的R上,功耗是不可避免的。这可以通过VDS波形观测到。所以RCD电路设计时,应该适当考虑加大R阻值,以便减小这个功耗。(看电路说话,非经验说法)
不懂啊  到底Vor怎么计算
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2014-05-08 09:17
@杰克0
不懂啊 到底Vor怎么计算

   VOR只是验算匝比的合理性,和确定MOS的极限电压阀值!  具体的计算不详!  不过我在考虑这个参数的时候都是就散完了以后再通过匝比和输出电压来估算VOR的, 然后再验算看MOS的耐压够不够! L会不会饱和这样子······

  不知道各位大侠是怎么考虑的列?

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