大家好!在这里和大家讨论一下问题!我现在做并网逆变器,后级采用全桥逆变,为了提高效率,采用IGBT+MOS的组合,IGBT采用50HZ的驱动,MOS采用20K的驱动!这样为什么会一直炸管呢?不知道大家有没有遇到这种情况?但如果都用IGBT 不会炸,
大家好!在这里和大家讨论一下问题!我现在做并网逆变器,后级采用全桥逆变,为了提高效率,采用IGBT+MOS的组合,IGBT采用50HZ的驱动,MOS采用20K的驱动!这样为什么会一直炸管呢?不知道大家有没有遇到这种情况?但如果都用IGBT 不会炸,