UPS逆變部份MOS并聯使用一事.

可能原因如下:
1,MOSFET的型号有差异,
2,PCBlayout时铜箔走线长短有差异,导致这个MOSFET的驱动信号要提前动作,当带载时其冲击电流很大,很容易烧坏,
3.散热器和附近元器件的干扰很大,导致驱动信号有比较大的干扰!

謝謝你ZHANG FEI,我按照你的見意一一去實驗一下.MOS是同一型號的,你說的2.3兩種情況有可以造成.有可能是干擾造成,我已經在MOS的G,D,S都分別加了磁環.還在實驗中.
  祝你在新的一年里:
             工作順利,步步高升.
             財運古滾滾來,彩標中500萬.

MOS管和IGBT都可以并联使用,但是并联使用要求电流可以均衡这点是个问题,因为虽然型号一样,但每项参数要求误差都在5%,如果一个是+5%,一个是-5%,那么差异就大了,这个时候可能导致并联中的某一只MOS管先行烧掉,然后剩下的MOS就要承担更大的电流,那就更容易烧掉了,所以在做大功率电源的时候,不建议用MOS管并联,可以采用电流大但管 那样可靠多了,我以前许多客户也是用好多MOS并联,到后来全是换成了大电流的单管,你可以把你的电压和电流参数给我,我这里有电流大的单管MOS,绝对不会让你再为了要并联N多MOS而头疼.当然产品也会更可靠了,产品的可靠性是和产品上所用器件的多少有关系的,器件越多就越不可靠.我联系方式:013156438032 朱工
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