一种提高感应加热电源频率和功率的方法
多加几个桥臂，交替工作，既可以用于提高频率或者提高功率，现在有厂家这么做吗？
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现在还没有回复呢，说说你的想法
@my.mai
无图无真相。帖原理图看看。
要提高到多大功率，基本上
（以下假定，全部基于90uH电感量的线圈）
同样线圈环境下，单管的功率和半桥的功率能力基本相当，全桥的功率能做到半桥的近4倍
功率密度最高的全桥了
如果对于同一个线圈，功率密度要再高怎么办，比如，对于一个线圈的加热环境来说，假定它的最大功率能做到2KW左右，那么半桥，基本上也只能达到这个功率，全桥呢，基本能做到6KW以上
重点来了，如果对于这样一个线圈来说，不改变工作环境（电感量、Q值等），功率再提高一倍，该用什么办法！！！
（再强调一下，假定线圈电感量是90UH）
我个人的研究结果，能够实现比全桥更高功率密度的，却是单管，一种特殊的单管结构，能够实现比全桥更高的功率
比如，在220V电压时，对同一线圈环境来说，普通单管结构能达到2KW，半桥2KW，全桥6KW，而一种改良变异的单管结构，功率能够超过10KW！！！
当然了，要实现这样高的功率密度，付出的代价也相当之大
为了防止扯皮，再强调一点，所谓同一线圈，是为了具有可比性，
普通的单管，如果将线圈电感量大幅度减小，谐振电容量大幅度增加，也能达到极大功率，比如能将普通单管结构做到6KW或更高，但其实，这是没有意义的，
为什么说没有意义呢
这个留给高手们分析吧
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@米山人家
要提高到多大功率，基本上 （以下假定，全部基于90uH电感量的线圈）同样线圈环境下，单管的功率和半桥的功率能力基本相当，全桥的功率能做到半桥的近4倍功率密度最高的全桥了如果对于同一个线圈，功率密度要再高怎么办，比如，对于一个线圈的加热环境来说，假定它的最大功率能做到2KW左右，那么半桥，基本上也只能达到这个功率，全桥呢，基本能做到6KW以上 重点来了，如果对于这样一个线圈来说，不改变工作环境（电感量、Q值等），功率再提高一倍，该用什么办法！！！（再强调一下，假定线圈电感量是90UH） 我个人的研究结果，能够实现比全桥更高功率密度的，却是单管，一种特殊的单管结构，能够实现比全桥更高的功率比如，在220V电压时，对同一线圈环境来说，普通单管结构能达到2KW，半桥2KW，全桥6KW，而一种改良变异的单管结构，功率能够超过10KW！！！当然了，要实现这样高的功率密度，付出的代价也相当之大 为了防止扯皮，再强调一点，所谓同一线圈，是为了具有可比性，普通的单管，如果将线圈电感量大幅度减小，谐振电容量大幅度增加，也能达到极大功率，比如能将普通单管结构做到6KW或更高，但其实，这是没有意义的， 为什么说没有意义呢这个留给高手们分析吧
至于多加几个桥臂之类的，和提高功率没有任何关系的，乍看可行，其实根本不相干
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很抱歉，是我没讲清楚，造成一些误解，我来试图解释一下：
基本思路是：时分复用，把电流分散到多个IGBT上，把导通损耗和开关损耗分散到多个IGBT。
H桥：
导通IGBT
周期1 IGBT1、4
周期2 IGBT2、3
——————|——————————|
IGBT1 IGBT3
————C——L————
IGBT2 IGBT4
——————|——————————|
N桥：
导通IGBT
周期1 IGBT1、6
周期2 IGBT5、2
周期3 IGBT3、8
周期4 IGBT7、4
——————|————|———————————|————|
IGBT1 IGBT3 IGBT5 IGBT7
——————————C——L———————
IGBT2 IGBT4 IGBT6 IGBT8
——————|————|———————————|————|
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@jianchunchen
很抱歉，是我没讲清楚，造成一些误解，我来试图解释一下：基本思路是：时分复用，把电流分散到多个IGBT上，把导通损耗和开关损耗分散到多个IGBT。H桥： 导通IGBT周期1 IGBT1、4周期2 IGBT2、3——————|——————————| IGBT1 IGBT3 ————C——L———— IGBT2 IGBT4——————|——————————| N桥： 导通IGBT周期1 IGBT1、6周期2 IGBT5、2周期3 IGBT3、8周期4 IGBT7、4——————|————|———————————|————| IGBT1 IGBT3 IGBT5 IGBT7 ——————————C——L——————— IGBT2 IGBT4 IGBT6 IGBT8——————|————|———————————|————|
好像是叫时间分隔法吧,我看到过这样的介绍,不过没有看到实际的机子!
这样做好像是可以提高整机的频率的!对功率好像没有什么关系!
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@jianchunchen
很抱歉，是我没讲清楚，造成一些误解，我来试图解释一下：基本思路是：时分复用，把电流分散到多个IGBT上，把导通损耗和开关损耗分散到多个IGBT。H桥： 导通IGBT周期1 IGBT1、4周期2 IGBT2、3——————|——————————| IGBT1 IGBT3 ————C——L———— IGBT2 IGBT4——————|——————————| N桥： 导通IGBT周期1 IGBT1、6周期2 IGBT5、2周期3 IGBT3、8周期4 IGBT7、4——————|————|———————————|————| IGBT1 IGBT3 IGBT5 IGBT7 ——————————C——L——————— IGBT2 IGBT4 IGBT6 IGBT8——————|————|———————————|————|
你说的这种方法，在70年代前后出现过，曾是一种很先进的技术，叫做时间分割逆变器
当时还没有IGBT出现，为了解决能用可控硅来进行高频感应加热的问题，可控硅关断速度很慢，即使是高速可控硅，关断时间仍大于10us，正常情况下，是无法工作的，因为不能及时关断，但是，用这种时间分割法，多路可控硅轮流开通关断，就可以用慢速可控硅来实现高频振荡，从而实现现在的IGBT加热的效果
时间分割法实现起来很复杂，当时也是不得已而为之，因为那时候没有IGBT这么理想的器件（这些人真是非常的聪明）
（可控硅有很多优点的，功率非常高，短路超过10ms不会炸，过流耐受力超过IGBT的1000倍，即使到目前为止，在超过500KW的感应加热方面，基本仍是可控硅的天下）
但是，它对提高功率是没有帮助的
它只能对IGBT的工作情况有改善作用，可以降低单个IGBT损耗或其它优点，对线圈输出功率方面，仍超不过一个普通全桥的效果
对同一只线圈来说，它的提高功率的途径只有一个，就是谐振
所有的手段，只要能满足让线圈足够谐振，就能够得到足够高的功率
如何让线圈足够谐振，单管，半桥，全桥，或其它变异手段
*************************************************
单管和半桥，相当于对线圈是单向激励
全桥，相当于对线圈是双向激励，所以它的功率比较高，能达到半桥或单管的近四倍
*************************************************
如果要再增加功率，就要对这个激励电流加强，这就需要一些变通的方法
最常见的一个近似应用，是PFC电路，近似于把电源提高后加增加线圈激励电流
我目前能够实现的两种单向加强激励方法，一种就类似于PFC，它能把电源电压成倍提高后，在不提高谐振电压的情况下，数倍增加激励电流
另外一种方法是利用线圈互感，把激励电流数倍提高
这两种方法仍在完善中，优点和缺点同样多
实验室测试的时候，用单管电路，可以很轻易将功率做到8KW以上，（同一线圈，同一负载，全桥只能做到6KW），而谐振电压不超过800V（220V交流电源）
以上两种，都是个人研究，尚不便公开相关技术
另外，用单向激励加强法，可以把功率数倍提高，可想而知，如果用双向激励功率加强的方法，那么功率提高的幅度肯定会很惊人的，有希望能将目前的全桥功率在当前基础上提高超过10倍
可惜到目前为止，我仍没有找到任何解决方法，也没有任何资料可以借鉴
不过，作为发展方向，也许有天会解决这些问题
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@jianchunchen
很抱歉，是我没讲清楚，造成一些误解，我来试图解释一下：基本思路是：时分复用，把电流分散到多个IGBT上，把导通损耗和开关损耗分散到多个IGBT。H桥： 导通IGBT周期1 IGBT1、4周期2 IGBT2、3——————|——————————| IGBT1 IGBT3 ————C——L———— IGBT2 IGBT4——————|——————————| N桥： 导通IGBT周期1 IGBT1、6周期2 IGBT5、2周期3 IGBT3、8周期4 IGBT7、4——————|————|———————————|————| IGBT1 IGBT3 IGBT5 IGBT7 ——————————C——L——————— IGBT2 IGBT4 IGBT6 IGBT8——————|————|———————————|————|
很好的思路
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@米山人家
你说的这种方法，在70年代前后出现过，曾是一种很先进的技术，叫做时间分割逆变器当时还没有IGBT出现，为了解决能用可控硅来进行高频感应加热的问题，可控硅关断速度很慢，即使是高速可控硅，关断时间仍大于10us，正常情况下，是无法工作的，因为不能及时关断，但是，用这种时间分割法，多路可控硅轮流开通关断，就可以用慢速可控硅来实现高频振荡，从而实现现在的IGBT加热的效果时间分割法实现起来很复杂，当时也是不得已而为之，因为那时候没有IGBT这么理想的器件（这些人真是非常的聪明）（可控硅有很多优点的，功率非常高，短路超过10ms不会炸，过流耐受力超过IGBT的1000倍，即使到目前为止，在超过500KW的感应加热方面，基本仍是可控硅的天下） 但是，它对提高功率是没有帮助的 它只能对IGBT的工作情况有改善作用，可以降低单个IGBT损耗或其它优点，对线圈输出功率方面，仍超不过一个普通全桥的效果 对同一只线圈来说，它的提高功率的途径只有一个，就是谐振所有的手段，只要能满足让线圈足够谐振，就能够得到足够高的功率 如何让线圈足够谐振，单管，半桥，全桥，或其它变异手段 *************************************************单管和半桥，相当于对线圈是单向激励全桥，相当于对线圈是双向激励，所以它的功率比较高，能达到半桥或单管的近四倍************************************************* 如果要再增加功率，就要对这个激励电流加强，这就需要一些变通的方法最常见的一个近似应用，是PFC电路，近似于把电源提高后加增加线圈激励电流 我目前能够实现的两种单向加强激励方法，一种就类似于PFC，它能把电源电压成倍提高后，在不提高谐振电压的情况下，数倍增加激励电流另外一种方法是利用线圈互感，把激励电流数倍提高这两种方法仍在完善中，优点和缺点同样多实验室测试的时候，用单管电路，可以很轻易将功率做到8KW以上，（同一线圈，同一负载，全桥只能做到6KW），而谐振电压不超过800V（220V交流电源）以上两种，都是个人研究，尚不便公开相关技术 另外，用单向激励加强法，可以把功率数倍提高，可想而知，如果用双向激励功率加强的方法，那么功率提高的幅度肯定会很惊人的，有希望能将目前的全桥功率在当前基础上提高超过10倍可惜到目前为止，我仍没有找到任何解决方法，也没有任何资料可以借鉴不过，作为发展方向，也许有天会解决这些问题
你说的很好，能共同分享吗？ 发到我的邮箱吧guoxi@126.com
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@ytwsdz
梦不是这样做的（一种提高感应加热电源频率）你提高频率有困难吗？ 题目就有问题。提高功率：你从2KW梦想不用管子做10KW以上，还须在220V一个条件下，并且保持90UH电感量。用一个管，你家出这样管还是月球上有？还单管的功率与半桥的一样？你用一个100A600V的单管和两个100A600V的管及四个100A600V与单管相同的管子（这管子电压是不是？）各设计三种电路，你能搞出个基本相当？全桥就四倍了？
你认为提高频率没有困难是吧?那你用FF100R12KS4的模块两只,输入电压三相:380V/50HZ,输出功功率15KW,工作频率150KHZ.你做一个出来让大家饱饱眼福吧!
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@米山人家
你说的这种方法，在70年代前后出现过，曾是一种很先进的技术，叫做时间分割逆变器当时还没有IGBT出现，为了解决能用可控硅来进行高频感应加热的问题，可控硅关断速度很慢，即使是高速可控硅，关断时间仍大于10us，正常情况下，是无法工作的，因为不能及时关断，但是，用这种时间分割法，多路可控硅轮流开通关断，就可以用慢速可控硅来实现高频振荡，从而实现现在的IGBT加热的效果时间分割法实现起来很复杂，当时也是不得已而为之，因为那时候没有IGBT这么理想的器件（这些人真是非常的聪明）（可控硅有很多优点的，功率非常高，短路超过10ms不会炸，过流耐受力超过IGBT的1000倍，即使到目前为止，在超过500KW的感应加热方面，基本仍是可控硅的天下） 但是，它对提高功率是没有帮助的 它只能对IGBT的工作情况有改善作用，可以降低单个IGBT损耗或其它优点，对线圈输出功率方面，仍超不过一个普通全桥的效果 对同一只线圈来说，它的提高功率的途径只有一个，就是谐振所有的手段，只要能满足让线圈足够谐振，就能够得到足够高的功率 如何让线圈足够谐振，单管，半桥，全桥，或其它变异手段 *************************************************单管和半桥，相当于对线圈是单向激励全桥，相当于对线圈是双向激励，所以它的功率比较高，能达到半桥或单管的近四倍************************************************* 如果要再增加功率，就要对这个激励电流加强，这就需要一些变通的方法最常见的一个近似应用，是PFC电路，近似于把电源提高后加增加线圈激励电流 我目前能够实现的两种单向加强激励方法，一种就类似于PFC，它能把电源电压成倍提高后，在不提高谐振电压的情况下，数倍增加激励电流另外一种方法是利用线圈互感，把激励电流数倍提高这两种方法仍在完善中，优点和缺点同样多实验室测试的时候，用单管电路，可以很轻易将功率做到8KW以上，（同一线圈，同一负载，全桥只能做到6KW），而谐振电压不超过800V（220V交流电源）以上两种，都是个人研究，尚不便公开相关技术 另外，用单向激励加强法，可以把功率数倍提高，可想而知，如果用双向激励功率加强的方法，那么功率提高的幅度肯定会很惊人的，有希望能将目前的全桥功率在当前基础上提高超过10倍可惜到目前为止，我仍没有找到任何解决方法，也没有任何资料可以借鉴不过，作为发展方向，也许有天会解决这些问题
有机会向你请教请教。
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@米山人家
要提高到多大功率，基本上 （以下假定，全部基于90uH电感量的线圈）同样线圈环境下，单管的功率和半桥的功率能力基本相当，全桥的功率能做到半桥的近4倍功率密度最高的全桥了如果对于同一个线圈，功率密度要再高怎么办，比如，对于一个线圈的加热环境来说，假定它的最大功率能做到2KW左右，那么半桥，基本上也只能达到这个功率，全桥呢，基本能做到6KW以上 重点来了，如果对于这样一个线圈来说，不改变工作环境（电感量、Q值等），功率再提高一倍，该用什么办法！！！（再强调一下，假定线圈电感量是90UH） 我个人的研究结果，能够实现比全桥更高功率密度的，却是单管，一种特殊的单管结构，能够实现比全桥更高的功率比如，在220V电压时，对同一线圈环境来说，普通单管结构能达到2KW，半桥2KW，全桥6KW，而一种改良变异的单管结构，功率能够超过10KW！！！当然了，要实现这样高的功率密度，付出的代价也相当之大 为了防止扯皮，再强调一点，所谓同一线圈，是为了具有可比性，普通的单管，如果将线圈电感量大幅度减小，谐振电容量大幅度增加，也能达到极大功率，比如能将普通单管结构做到6KW或更高，但其实，这是没有意义的， 为什么说没有意义呢这个留给高手们分析吧
全桥，其实是电压翻倍，线圈绝缘必须改善
你把电源电压调高，功率自然就上去
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