保护电路出现怪问题。

漏气状态下，电路有可能进入谐振状态，导致电感上电压增大，烧毁MOS.

可以用示波器测试一下。

你好，我今天用示波器测试MOS  GS两级，发现当可控硅导通时，仍然存在驱动波形。

只不过脉冲方波幅值变小了点，（正常为近似方波脉冲），MOS管D级测试，仍然有电流，有点像尖刺。频率也比较高。

我觉得可能可控硅导通未能彻底关断下管，导致仍然存在震荡。

我想用小三极管9013之类去拉下管。

首先确认可控硅是否是触发导通，GS电压时多少？确诊之后再去做其他的。

触发保护后，可控规是否有维持电流？

可控硅导通的时候，压降有一伏多，而二极管导通压降也有0.7V以上，遇到通过二极管的电流比较大的时候，压降更高，那就有2伏多的电压了。所以，当使用开通电压比较低的MOS时，MOS有可能不能很好地被关断。整个线路的频率会比较高，破坏了原来软开关的条件，造成开关管的硬开关，出现了你所说的尖刺电流，最终开关管损坏。

大哥，你好，我现在改用9013去拉MOS下管栅极，通过测试电流波形消失，应该是可靠拉到地了。

现在实验一晚上暂时没有出现问题。

继续实验中。

另外问一下，前级APFC 芯片8脚供电，在异常状态时，不用处理没有问题吧。

是否需要将其也拉到地？

未将VCC拉到地时，电解两端万用表测试398V~403V跳动。

呵呵，我现在已经改为单启动电容，加分流二极管。图中未改过来。

可以利用半桥给前面APFC供电,这样,当半桥这保护后,APFC也停止工作了.

这是个好方案，但是当此电容加上有发现MOS管漏极电流出现一个小的毛刺，

估计是加上此电容对于开关状态存在影响。此电容使用1n 出现毛刺，太小，芯片供电有出现问题。

这个我倒是没有尝试过。等我试试。

试过了，半桥中点电容使用1n  ，C9直接不能加，加上一个非常小的电容例如681J之类，MOS漏极出现电流毛刺。

半桥中点电容改变了功率管电压、电流相位？

采用半桥供电，发现芯片8脚电压不是很高，测试12.7V  刚刚够芯片工作的。而且有时候启动时出现闪烁，芯片8脚测试11.8V  芯片不能启动。

这个是不是与后级电路开关频率有关系，开关频率现在28KHZ  应该也可以了。

半桥供电电容用1N  刚刚够。使用821J  经常出现闪烁。

你可以不用可控硅，用两个三极管做成复合管代替可控硅，可控硅在保护电路中我个人认为不太灵敏，我以前也是遇到过类似的情况。

大哥，如何用2个三极管搞，能否给个图纸看看

不知结果怎样？有用吗？还是因为我是女生不愿搭理？

我个人意思是改用磁环驱动三极管的线路,很成熟可靠!比磁环驱动MOSFET省成本.

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