反激电路的磁学疑问，求解！

一同期待……

个人理解：

1、加气息实际是减小有效磁导率，

2、B=UH,H=0.4PINIP/LE，在反激变压器中，如果参数都已确定，那么在工作中变化的就只有峰值电流IP了，你知道CCM和DCM的电流波形是什么样子。那你就知道B-H曲线是什么样子了噻（注意：峰值电流为0的时候，B不等于零而是等于BR）

具体的可以看看赵修科老师的《开关电源中的磁性元器件设计》

谢谢

①外加的伏秒值、匝数、磁芯面积决定了交变磁通量；

VTon(n) + Np + Ae → △B

②直流平均电流值、匝数、磁路长度决定了直流磁场强度；

         Idc + Np + Le（lg） → Hdc

③加气隙和不加气隙，磁芯饱和磁感应强度是一样的；但加气隙的磁芯能显著

减小剩磁Br，另外，加气隙可以承受大的多的直流电流；

上述分析中（见开关电源手册），居然没有LP、IP，与LP等无关吗？

电感量Lp可是决定了流过绕组中（交/直）电流的大小，经典教材是不会出错的。

换句话说，CCM模式反激变换，必须分别计算交流磁感应强度和直流磁感应强度。很抱歉，公式粘贴不上来。单纯去研究磁芯中的某一个量，好像没有太多的实际意义啊。

个人观点：设计CCM模式反激变压器时，一定要分别计算交、直流磁感应强度的大小，也就是 “单独" 去计算NP、LP

（影响直流B的量很复杂，LP决定IP、IDC的大小（IP与交流B无关），IDC决定气隙的大小，固定的NP、气隙决定LP）

更严谨分析的话，VIN、匝数比N同样决定IDC。所以计算之前我们必须首先确认哪些是已知量（例如VIN、AE、LE），哪些是可变量（例如IDC、气隙），否则一环扣一环，计算全乱套了。

（交流B很简单，它只与VIN、TON、NP有关，先不考虑AE，由于DCM反激变压器中没有IDC，所以设计非常简单）