我做了一款高电压输入的电源，要求隔离8KV。方案是采用SG3525半桥工作方式，输出DC220V，主回路反馈18V，，副回路带载，以达到隔离要求。
在调试中，发现加带60W负载时，开关管温升小于20度。而空载时却发热严重。波形如下图：
黄和蓝色为驱动波形，带负压。绿色为线圈两侧波形，可见在死区时间内电压并没有回复，直到另一管开通而导致开关损耗过大。
2000V高压取能
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@世界真奇妙
我们的功率单元用的是1700V的IGBT，所以直流侧取能电压只有一半。用1600V管子做就可以了。
是呀，900V取能用反激或双管反激即可，但更高电压下取能则有如下问题：
1 隔离不好处理，要稳压就要有反馈，而现阶段隔离高的线性光耦没有大于DC5000V的。
2 在高压输入下，占空比处于较小的状态，如采用MOS管还好一点（MOS高耐压的较少）
如用IGBT则在较小占空比下IGBT上升沿还没有完全打开就处于关断状态，（1800V以上 时较为明显）。
3 正常变压器用胶带隔离后，长期工作时，有一定局放现象产生。必须采用更好隔离的变压器（如多槽骨架）工艺上有一定因难。
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@北方人
是呀，900V取能用反激或双管反激即可，但更高电压下取能则有如下问题：1隔离不好处理，要稳压就要有反馈，而现阶段隔离高的线性光耦没有大于DC5000V的。2在高压输入下，占空比处于较小的状态，如采用MOS管还好一点（MOS高耐压的较少） 如用IGBT则在较小占空比下IGBT上升沿还没有完全打开就处于关断状态，（1800V以上时较为明显）。3正常变压器用胶带隔离后，长期工作时，有一定局放现象产生。必须采用更好隔离的变压器（如多槽骨架）工艺上有一定因难。
1. 隔离耐压是AC5000V，如TLP421（1分钟），不是DC5000V。
2.MOSFET最高耐压有4000V1A的，是IXYS的产品，市场上没有，必须直接找代理商，供货周期较长。
3.变压器绕制必须加档墙，应该不难处理。
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