【请教】关于IGBT/功率MOSFET的几个概念问题

各位大大，

关于IGBT的几个如下的概念问题，我看了好几本书，都没有得到确定的回答，请版上的各位大大不吝赐教：

1。IGBT的伏安特性曲线Ic - Vce, 这个X轴上的Vce是指IGBT的饱和压降，还是指 就是在IGBT C-E之间施加的电压？如果是后者，怎么从图中得到IGBT在某个Vge和电流下的饱和压降。

2。IGBT作为开关时，工作在饱和区和截止区。请问在什么应用中它会工作在Active Region？

3。同样的功率MOSFET作为开关时，工作在线性和截止区。请问在什么应用中它会工作在Active Region？

非常感谢！！