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关于半桥电路IGBT电压和电流

大家看一下我的半桥电路下半桥臂IGBT电压和电流波形,提一下意见

  

 

 

 

 

 

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2011-07-29 22:11

1.实际震荡频率为14.28KHZ,驱动频率为14.4KHz,工作在微感性区,电压与电流的相位差几乎已经看不出来了;

2.死区时间为3us,是不是有点长了,可不可以这样认为,死区时间越长,二极管续流的时间就越长,经CE电容滤波后Vce波形的T型斜坡就越缓呢,这样开关损耗会增加吧?

3.在开机的时候,整机会发出微弱的震动声音,这正常吗?

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2011-07-30 10:53
@liningustb
1.实际震荡频率为14.28KHZ,驱动频率为14.4KHz,工作在微感性区,电压与电流的相位差几乎已经看不出来了;2.死区时间为3us,是不是有点长了,可不可以这样认为,死区时间越长,二极管续流的时间就越长,经CE电容滤波后Vce波形的T型斜坡就越缓呢,这样开关损耗会增加吧?3.在开机的时候,整机会发出微弱的震动声音,这正常吗?

频率14K了,人肯定会听到声音的,死区大和VCE波形的斜坡没什么必然联系,斜坡应该靠LC谐振参数和RC的吸收来实现的

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2011-07-30 11:09

1、从波形中,我认为是工作在硬开通状态;

2、支持3楼兄弟的说法;

3、VCE波形的斜坡还与续流二极管有关,只是质量好的IGBT内部的续流二极管一般都较好罢了。

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yhxxm60
LV.5
5
2011-07-30 11:23
你能把测量点说清楚吗? 【半桥电路下半桥臂IGBT电压和电流波形】
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yhxxm60
LV.5
6
2011-07-30 11:35
@yhxxm60
你能把测量点说清楚吗?【半桥电路下半桥臂IGBT电压和电流波形】
 电压接在AB  电流接在C [C 是电流互感器】吗?
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2011-07-30 13:37
@yhxxm60
你能把测量点说清楚吗?【半桥电路下半桥臂IGBT电压和电流波形】

测量点:电压是下半桥臂IGBT的Vce电压通过取样电阻测得的,不是AB两点,电流是在谐振线圈上加互感器测得的,就是像C那样。

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2011-07-30 13:48
@十年不鸣
1、从波形中,我认为是工作在硬开通状态;2、支持3楼兄弟的说法;3、VCE波形的斜坡还与续流二极管有关,只是质量好的IGBT内部的续流二极管一般都较好罢了。
确实是硬开通的,这是下半桥臂的波形,就是IGBT电压为低的时候是开通的,电流是下半周期。怎么看出是硬开通的呢,在开通之前的下降斜坡中有一部分是二极管续流形成的,此时IGBT电压很低时导通,充电完成电流换向时IGBT已经打开了,怎么是硬开通呢,应该是零电压导通吧
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2011-07-30 22:59
@liningustb
确实是硬开通的,这是下半桥臂的波形,就是IGBT电压为低的时候是开通的,电流是下半周期。怎么看出是硬开通的呢,在开通之前的下降斜坡中有一部分是二极管续流形成的,此时IGBT电压很低时导通,充电完成电流换向时IGBT已经打开了,怎么是硬开通呢,应该是零电压导通吧

从图中可看出:

1、  在开通之前的UCE75%的下降是二极管续流形成的;

2、  UCE下降至约25%时,下管已开通,电荷通过开通的下管强行放电至零电压;

3、  从电流波形换向时的毛刺也可看出工作在硬开通状态。

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liningustb
LV.3
10
2011-07-31 13:05
@十年不鸣
从图中可看出:1、 在开通之前的UCE约75%的下降是二极管续流形成的;2、 UCE下降至约25%时,下管已开通,电荷通过开通的下管强行放电至零电压;3、 从电流波形换向时的毛刺也可看出工作在硬开通状态。

恩,是这样的,很有道理

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liningustb
LV.3
11
2011-07-31 15:17
@十年不鸣
从图中可看出:1、 在开通之前的UCE约75%的下降是二极管续流形成的;2、 UCE下降至约25%时,下管已开通,电荷通过开通的下管强行放电至零电压;3、 从电流波形换向时的毛刺也可看出工作在硬开通状态。

还有一事不明,就是功率的问题一直搞不明白,对于半桥结构来说,功率是如何计算的,对于从线圈上测出来的电流,整流后母线的电流只有该电流大小的一半吧,是不是P= U*I/2呢,U为母线电压有效值,I为谐振电流有效值。相应的资料很少,看别的帖子说的很模糊

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liningustb
LV.3
12
2011-07-31 15:26
@yhxxm60
[图片] 电压接在AB 电流接在C[C是电流互感器】吗?

像这样的结构,现在的问题IGBT导通时候的管压降非常高,有5-6V,不知道是为什么。IGBT是60N100,驱动电压+15V,-5V,门级电阻为15欧,手册上说当IGBT电流达到60A的时候,管压降也不过3V,我的电流大小测量可能有点问题,但是绝对超不过这个值,还能有什么原因呢。以前电流是用手持是交流钳测的,大概谐振电流也就十几安,但是我按电流互感器换算的电流有四十安,还不知道是什么原因造成的,但是无论怎样管压降都不该这么大的,IGBT发热严重。

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4205250873
LV.5
13
2011-07-31 18:16
@liningustb
测量点:电压是下半桥臂IGBT的Vce电压通过取样电阻测得的,不是AB两点,电流是在谐振线圈上加互感器测得的,就是像C那样。
你用的是不是陶瓷片绝缘 还是散热器太小了或者吸收电容是不是太小了
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liningustb
LV.3
14
2011-07-31 18:55
@4205250873
你用的是不是陶瓷片绝缘还是散热器太小了或者吸收电容是不是太小了

散热器很大,就是IGBT开通电压太高,RC吸收,R为51欧,C为40nf,我实验时再加大C没什么明显效果。

  

上面1通道的波形是CE端加了一个二极管测得的波形,就是当电压为低的时候,IGBT导通,没加RC吸收之前有很大的毛刺,加了吸收以后毛刺变小,但是导通压降达到5-6V,似乎没有减小。

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liningustb
LV.3
15
2011-07-31 21:09
@liningustb
还有一事不明,就是功率的问题一直搞不明白,对于半桥结构来说,功率是如何计算的,对于从线圈上测出来的电流,整流后母线的电流只有该电流大小的一半吧,是不是P=U*I/2呢,U为母线电压有效值,I为谐振电流有效值。相应的资料很少,看别的帖子说的很模糊
  
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2011-07-31 22:11
@liningustb
散热器很大,就是IGBT开通电压太高,RC吸收,R为51欧,C为40nf,我实验时再加大C没什么明显效果。[图片]  上面1通道的波形是CE端加了一个二极管测得的波形,就是当电压为低的时候,IGBT导通,没加RC吸收之前有很大的毛刺,加了吸收以后毛刺变小,但是导通压降达到5-6V,似乎没有减小。

1、  开通压降高估计是没进入深饱和状态,建议检查驱动电路;

2、  把开通压降降下来并做到零电压开通,IGBT的发热量自然会小很多。

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2011-07-31 23:41
@liningustb
[图片] [图片] 

1、  母线电压和母线电流的计算方法是对的;

2、在半桥电路中,  线盘电压的有效值是母线电压的一半,且实际工作中必须有死区时间,故线盘电流的有效值是母线电流的2倍多一点。

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liningustb
LV.3
18
2011-08-01 09:03
@十年不鸣
1、 母线电压和母线电流的计算方法是对的;2、在半桥电路中, 线盘电压的有效值是母线电压的一半,且实际工作中必须有死区时间,故线盘电流的有效值是母线电流的2倍多一点。
IGBT的瞬时电流竟能达到I*1.414=59A,现在终于明白为什么我的60N100总因为过热而烧毁了!
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liningustb
LV.3
19
2011-08-01 09:24
大家说怎样减少开通损耗呢,软开通是不是得引入而外的感性元件啊,这样是不是会产生尖峰电压了。
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2011-08-01 18:43
@liningustb
大家说怎样减少开通损耗呢,软开通是不是得引入而外的感性元件啊,这样是不是会产生尖峰电压了。
把参数调好,做到零电压开通,则开通损耗已很小了,尖峰电压也很小。5KW的半桥用不着专门的软开关电路。
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左明
LV.8
21
2011-08-10 18:13
高导热陶瓷垫片,导热系数达24W/M,K,耐压10KV以上,比矽胶片导热绝缘好得多,是IGBT管最佳导热绝缘配套产品,可以提供样品测试,东莞长安左明QQ:413700881,如果需要提供样品测试,麻烦提供详细联系方式到我邮箱:bush.wan-001@163.com, 谢谢
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yhxxm60
LV.5
22
2011-08-10 18:33
@左明
高导热陶瓷垫片,导热系数达24W/M,K,耐压10KV以上,比矽胶片导热绝缘好得多,是IGBT管最佳导热绝缘配套产品,可以提供样品测试,东莞长安左明QQ:413700881,如果需要提供样品测试,麻烦提供详细联系方式到我邮箱:bush.wan-001@163.com,谢谢

根据论坛规定  你这样的帖是属于广告范畴  【有电话 有链接】 要禁止的,

希望以后不要再这样了

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hero0765
LV.4
23
2014-12-16 08:28
@liningustb
[图片] [图片] 
详细明了
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