关于您所说第四点，开关损耗是与开关频率有关系的，开关频率越高开关损耗也越大，怎么会把开关速度提高而减小开关损耗呢？

大家说怎样减少开通损耗呢，软开通是不是得引入而外的感性元件啊，这样是不是会产生尖峰电压了。

IGBT的瞬时电流竟能达到I*1.414=59A，现在终于明白为什么我的60N100总因为过热而烧毁了！

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散热器很大，就是IGBT开通电压太高，RC吸收，R为51欧，C为40nf，我实验时再加大C没什么明显效果。[图片]  上面1通道的波形是CE端加了一个二极管测得的波形，就是当电压为低的时候，IGBT导通，没加RC吸收之前有很大的毛刺，加了吸收以后毛刺变小，但是导通压降达到5-6V，似乎没有减小。

像这样的结构，现在的问题IGBT导通时候的管压降非常高，有5-6V，不知道是为什么。IGBT是60N100，驱动电压+15V，-5V，门级电阻为15欧，手册上说当IGBT电流达到60A的时候，管压降也不过3V，我的电流大小测量可能有点问题，但是绝对超不过这个值，还能有什么原因呢。以前电流是用手持是交流钳测的，大概谐振电流也就十几安，但是我按电流互感器换算的电流有四十安，还不知道是什么原因造成的，但是无论怎样管压降都不该这么大的，IGBT发热严重。

还有一事不明，就是功率的问题一直搞不明白，对于半桥结构来说，功率是如何计算的，对于从线圈上测出来的电流，整流后母线的电流只有该电流大小的一半吧，是不是P=U*I/2呢，U为母线电压有效值，I为谐振电流有效值。相应的资料很少，看别的帖子说的很模糊

恩，是这样的，很有道理

确实是硬开通的，这是下半桥臂的波形，就是IGBT电压为低的时候是开通的，电流是下半周期。怎么看出是硬开通的呢，在开通之前的下降斜坡中有一部分是二极管续流形成的，此时IGBT电压很低时导通，充电完成电流换向时IGBT已经打开了，怎么是硬开通呢，应该是零电压导通吧

测量点：电压是下半桥臂IGBT的Vce电压通过取样电阻测得的，不是AB两点，电流是在谐振线圈上加互感器测得的，就是像C那样。