近日发现有些兄弟在为IGBT发热问题所困扰,本人试归纳了以下几点体会供参考,有不足的地方请各位指出。
一、IGBT的损耗主要包括通态损耗和开关损耗。
二、通态损耗主要取决于IGBT的导通饱和压隆Vce(sat),开关损耗主要取决于开通时间ton和关断时间toff,不同的频率及不同的电路方式,这两种损耗所占的总损耗的比例是不同的。
三、当工作频率较低时,通态损耗是主要的,建议选取低饱和压隆的IGBT;当工作频率较高时,开关损耗是主要的,建议选取短拖尾电流的快速IGBT。
四、选用更大电流的模块则可把开关速度提高并减小开关损耗。
五、开关损耗包括开通损耗和关断损耗,在串联谐振电路中,IGBT开通时做到零电压开通是较易做到的,这时的开通损耗极小;IGBT关断时做到接近零电流关断是可以做到的,这时的关断损耗也较小。
六、栅极电阻RG减小可缩短开通时间ton和关断时间toff,并减小了开通损耗和关断损耗,但却增加了浪涌电压和电磁干扰。RG的选取是应在各个矛盾中选取一个平衡点。