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Vcc电压空满载差距大

输出5V3A,输入全电压,效率要76.5%,Fs 65K,VCC电压范围8.5-25V

现在的情况是VCC电压空满载差异巨大无比(客官请看图)。变压器一次侧漏感3%,二次侧漏感没量,因为不知道多大算可以。    

上图:空载VCC,满载VDS,满载VD,满载VCC。

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天泽吾
LV.4
2
2011-08-03 10:57
如图可看出,空满载VCC有13V这么大地差距,VD波形有点怪,怎么砍尖峰?RC电路我有调过,一次侧RCD也试过,一次侧漏感也不算大。待会上电路图
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天泽吾
LV.4
3
2011-08-03 11:01
@天泽吾
如图可看出,空满载VCC有13V这么大地差距,VD波形有点怪,怎么砍尖峰?RC电路我有调过,一次侧RCD也试过,一次侧漏感也不算大。待会上电路图
 
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2011-08-03 11:02
@天泽吾
如图可看出,空满载VCC有13V这么大地差距,VD波形有点怪,怎么砍尖峰?RC电路我有调过,一次侧RCD也试过,一次侧漏感也不算大。待会上电路图

把你的变压器圈比减小一点,就可以削峰

说说你变压器的结构,尤其是给IC供电的辅助绕组在什么位置,把这个绕组换一个位置试一下。你各个绕组的圈数是多少?

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天泽吾
LV.4
5
2011-08-03 11:03
@天泽吾
[图片] 
坐等强人,敬候佳阴
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天泽吾
LV.4
6
2011-08-03 11:05
@edie87@163.com
把你的变压器圈比减小一点,就可以削峰说说你变压器的结构,尤其是给IC供电的辅助绕组在什么位置,把这个绕组换一个位置试一下。你各个绕组的圈数是多少?
我输出只有5V。。。匝比大 也是没办法的~P:S二次:A辅助= 58:4:10
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天泽吾
LV.4
7
2011-08-03 11:08
@天泽吾
我输出只有5V。。。匝比大也是没办法的~P:S二次:A辅助=58:4:10
我是用三明治绕法,先一次30Ts加屏蔽,然后二次4圈,然后辅助10圈,最后一次28圈
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cheng111
LV.11
8
2011-08-03 11:26
@天泽吾
我是用三明治绕法,先一次30Ts加屏蔽,然后二次4圈,然后辅助10圈,最后一次28圈
可以将D2改为一个电感进行滤波,R9的电阻值要增大,封装也要改0805或者1206.
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2011-08-03 12:19
@天泽吾
我是用三明治绕法,先一次30Ts加屏蔽,然后二次4圈,然后辅助10圈,最后一次28圈
你的辅助绕组是居中密绕的还是匀绕的?
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2011-08-03 12:19
@天泽吾
我是用三明治绕法,先一次30Ts加屏蔽,然后二次4圈,然后辅助10圈,最后一次28圈

分开的两个初级绕组圈数最好相等,都是29圈

可以试着把二次的4圈增加1圈或2圈,Vds尖峰会降低二十来伏

尖峰降低后再试着改辅助,按你现在的计算10圈没问题,可以试着把辅助绕组放到最外面一层去,也可以试着改变其圈数。再就是更改R9的3欧,改大一点看一下,比如说5.1欧,7.5欧。

 

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天泽吾
LV.4
11
2011-08-03 12:26
@心中有冰
你的辅助绕组是居中密绕的还是匀绕的?

均绕

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天泽吾
LV.4
12
2011-08-03 12:28
@edie87@163.com
分开的两个初级绕组圈数最好相等,都是29圈可以试着把二次的4圈增加1圈或2圈,Vds尖峰会降低二十来伏尖峰降低后再试着改辅助,按你现在的计算10圈没问题,可以试着把辅助绕组放到最外面一层去,也可以试着改变其圈数。再就是更改R9的3欧,改大一点看一下,比如说5.1欧,7.5欧。 
辅助绕最外面的话,是不是耦合会差,不是应该紧贴二次吗
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bdzn
LV.9
13
2011-08-03 12:54
什么IC呀?VCC太低了吧/
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LV.1
14
2011-08-03 13:00
@天泽吾
辅助绕最外面的话,是不是耦合会差,不是应该紧贴二次吗
辅助源外侧问题不大的,电流小。。
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2011-08-03 13:02
@bdzn
什么IC呀?VCC太低了吧/

有点像是rich power的R7735之类的。

VCC太低的话让LZ加到15圈到20圈试一下。

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2011-08-03 13:29
把后面的1N4148改为1N4007或FR107吧,1N4148耐压不够的。再改进一下VCC绕组的绕制工艺吧。
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天泽吾
LV.4
17
2011-08-03 13:33
@bdzn
什么IC呀?VCC太低了吧/

是16.5V啊。。。还好吧。。。它的适用范围是8.5-25V

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天泽吾
LV.4
18
2011-08-03 13:35
@edie87@163.com
有点像是richpower的R7735之类的。VCC太低的话让LZ加到15圈到20圈试一下。
你没搞明白 我的意思。。。不是太低。。是空满载VCC变化有10多伏。。11圈都会OVP,9圈VCC会启动不来。。
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天泽吾
LV.4
19
2011-08-03 13:38
@天泽吾
是16.5V啊。。。还好吧。。。它的适用范围是8.5-25V
芯片是飞兆的FAN6862R
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wheelzhou
LV.9
20
2011-08-03 13:46
@天空skydai
把后面的1N4148改为1N4007或FR107吧,1N4148耐压不够的。再改进一下VCC绕组的绕制工艺吧。
怎么样啊?现在搞定了没?
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天泽吾
LV.4
21
2011-08-03 14:24
@cheng111
可以将D2改为一个电感进行滤波,R9的电阻值要增大,封装也要改0805或者1206.
R9增大会使VCC空满载电压都降低,但压差仍那么大,加到8欧时VCC启动不足,空载电压跳动
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天泽吾
LV.4
22
2011-08-03 14:25
@wheelzhou
[图片]怎么样啊?现在搞定了没?
还没呀~
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天泽吾
LV.4
23
2011-08-03 14:30
@edie87@163.com
分开的两个初级绕组圈数最好相等,都是29圈可以试着把二次的4圈增加1圈或2圈,Vds尖峰会降低二十来伏尖峰降低后再试着改辅助,按你现在的计算10圈没问题,可以试着把辅助绕组放到最外面一层去,也可以试着改变其圈数。再就是更改R9的3欧,改大一点看一下,比如说5.1欧,7.5欧。 

我觉得是 满载时候,VD电压尖峰导致VCC在满载时飙高。空载时VD没有尖峰。

所以我想主要对策在于如何把VD的尖峰砍掉。

VD是二次侧那个二极管的电压

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chaiwei322
LV.1
24
2011-08-03 14:44
@天泽吾
还没呀~
版主有没有试过加个假负载试试?
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cheng111
LV.11
25
2011-08-03 15:14
@天泽吾
R9增大会使VCC空满载电压都降低,但压差仍那么大,加到8欧时VCC启动不足,空载电压跳动
不会吧,我一般都使用的10欧姆的。在看看
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cheng111
LV.11
26
2011-08-03 15:18
@天泽吾
我觉得是满载时候,VD电压尖峰导致VCC在满载时飙高。空载时VD没有尖峰。所以我想主要对策在于如何把VD的尖峰砍掉。VD是二次侧那个二极管的电压
所以前面有建议你使用滤波电感试一试,D2被滤波电感代替。
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wheelzhou
LV.9
27
2011-08-03 15:35
@chaiwei322
版主有没有试过加个假负载试试?

你现在打算怎么处理呢?

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天泽吾
LV.4
28
2011-08-03 15:45
@chaiwei322
版主有没有试过加个假负载试试?
还没,我试下
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天泽吾
LV.4
29
2011-08-03 16:17
@cheng111
所以前面有建议你使用滤波电感试一试,D2被滤波电感代替。
但是D2那边组成2级辅助,是用它来单边导通的
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天泽吾
LV.4
30
2011-08-03 16:18
@天泽吾
但是D2那边组成2级辅助,是用它来单边导通的
应该是D3吧?
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天泽吾
LV.4
31
2011-08-03 16:35
@天泽吾
还没,我试下

加了假负载 会好点,但仍有10V的变化。而且加假负载效率是个问题,5V3A效率本来就比较难做。。。

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