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【讨论】大功率工频逆变器主变的设计

大功率工频变压器单个可以做的非常大,一个10KW的很容易做到,

但是这么一个单个的10KW逆变器也给电路部分带来了难度。

比如H桥上要并联许多MOSFET才能到变压器,

是不是有个办法,像高频变压器那样,采用多个变压器,如果2个或者4个,这几个变压器初级并联,次级串联的方式来实现呢,如果初级并联,那么H桥可以做多几个模块,这样PCB布线压力就不会很大了。欢迎大家讨论。

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2011-08-09 12:22
功率那么大还采用多个变压器这样只有增加成本及降低可靠性10KW逆变器只要提高电压(建议192v)然后用2只200a的IGBT搞定的可靠性高
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2011-08-09 13:05
@电源人生
功率那么大还采用多个变压器这样只有增加成本及降低可靠性10KW逆变器只要提高电压(建议192v)然后用2只200a的IGBT搞定的可靠性高
10KW,2个200A的模块估计也比较够呛吧,平均电流都在50多A了。
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2011-08-09 13:32
@lizlk
10KW,2个200A的模块估计也比较够呛吧,平均电流都在50多A了。
绝对没问题
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z760622
LV.4
5
2011-08-09 14:49
@电源人生
绝对没问题
如果用192v的话做工频机就有点浪费了。做高频机很方便。只要一级boost再加H桥就可以了
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z760622
LV.4
6
2011-08-09 14:51
@z760622
如果用192v的话做工频机就有点浪费了。做高频机很方便。只要一级boost再加H桥就可以了
APC SUA2200的UPS里面就是用两个变压器。初级串次级并。
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2011-08-09 17:56

工频机不适合像高频机那样初级并联次级串联使用。

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2011-08-09 20:06
@xzszrs
工频机不适合像高频机那样初级并联次级串联使用。
钟工为什么这样说?
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2011-08-09 20:56
@晶熔铁
钟工为什么这样说?
工频变压器里铜损是主要的,主要是线圈很长,比如一个10KW大功率的变压器需要铁芯面积为S=125平方厘米。按正方形计算每匝长度=44.7CM,取B=1.1T,每V线长=14.6cm.如果由10个1KW的变压器并联,则每个变压器需要铁芯面积为S=39.5平方厘米,按正方形计算每匝长度=25CM,取B=1.1T,每V线长=25cm,假设大变压器的电流密度和小变压器的电流密度一样,小变压器的线长了71%,内阻也增加了71%使原来就占损耗比重很大的铜损雪上加霜。高频变压器本来铜损就只有工频的十分之一左右,由于并联再增加一倍也影响不大啊。
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2011-08-09 21:45
@z760622
如果用192v的话做工频机就有点浪费了。做高频机很方便。只要一级boost再加H桥就可以了
10kw/192v/boost有点难度吧(跑题了不好意思【讨论】大功率工频逆变器主变的设计)
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javike
LV.12
11
2011-08-10 21:30

张工担心的是MOS的应力不够?

可以采用初级多线并饶,然后每组线接一组MOS推动,他们的驱动由公共的输出采用图腾驱动

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2011-08-10 23:25
@xzszrs
工频变压器里铜损是主要的,主要是线圈很长,比如一个10KW大功率的变压器需要铁芯面积为S=125平方厘米。按正方形计算每匝长度=44.7CM,取B=1.1T,每V线长=14.6cm.如果由10个1KW的变压器并联,则每个变压器需要铁芯面积为S=39.5平方厘米,按正方形计算每匝长度=25CM,取B=1.1T,每V线长=25cm,假设大变压器的电流密度和小变压器的电流密度一样,小变压器的线长了71%,内阻也增加了71%使原来就占损耗比重很大的铜损雪上加霜。高频变压器本来铜损就只有工频的十分之一左右,由于并联再增加一倍也影响不大啊。

钟工的分析的确有道理!

不过我还有一个疑问:变压器原边DC阻值是大了71%,但其AC阻抗及总的传输损耗是否也要考虑一下,是否肯定也是增大很多的?

同时拿单个变压器与多个变压器相比,涡流损耗估计还是单个的大,散热性能也是多变压器方式要好很多。

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rpower
LV.4
13
2011-08-11 08:08
@javike
张工担心的是MOS的应力不够?可以采用初级多线并饶,然后每组线接一组MOS推动,他们的驱动由公共的输出采用图腾驱动

这办法很好,不过可能变压器要多组出线,不知道好不好弄呢?

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2011-08-11 08:11
@xzszrs
工频变压器里铜损是主要的,主要是线圈很长,比如一个10KW大功率的变压器需要铁芯面积为S=125平方厘米。按正方形计算每匝长度=44.7CM,取B=1.1T,每V线长=14.6cm.如果由10个1KW的变压器并联,则每个变压器需要铁芯面积为S=39.5平方厘米,按正方形计算每匝长度=25CM,取B=1.1T,每V线长=25cm,假设大变压器的电流密度和小变压器的电流密度一样,小变压器的线长了71%,内阻也增加了71%使原来就占损耗比重很大的铜损雪上加霜。高频变压器本来铜损就只有工频的十分之一左右,由于并联再增加一倍也影响不大啊。
一语惊醒梦中人!赞一个!
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2011-08-11 08:12
@晶熔铁
钟工的分析的确有道理!不过我还有一个疑问:变压器原边DC阻值是大了71%,但其AC阻抗及总的传输损耗是否也要考虑一下,是否肯定也是增大很多的?同时拿单个变压器与多个变压器相比,涡流损耗估计还是单个的大,散热性能也是多变压器方式要好很多。
此贴都把 寿版都惊动了,呵呵。
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2011-08-11 08:14
@javike
张工担心的是MOS的应力不够?可以采用初级多线并饶,然后每组线接一组MOS推动,他们的驱动由公共的输出采用图腾驱动

黄版的办法和很好啊,感谢黄版的多次提示!

看到黄版的这个办法,我又想到了上次在深圳电源网会议的晚宴上晶熔铁版主给我的IGBT并联的提示,高手的话余音环绕不绝于耳啊!

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javike
LV.12
17
2011-08-11 09:41
@lizlk
黄版的办法和很好啊,感谢黄版的多次提示!看到黄版的这个办法,我又想到了上次在深圳电源网会议的晚宴上晶熔铁版主给我的IGBT并联的提示,高手的话余音环绕不绝于耳啊!
嗯,这种方法对MOS,IGBT均流比较好,我比较喜欢这样整。。。
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javike
LV.12
18
2011-08-11 09:43
@rpower
这办法很好,不过可能变压器要多组出线,不知道好不好弄呢?
考虑到趋肤效应就会采用多线并绕,这样既解决均流问题也解决趋肤问题
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2011-08-12 23:20
@lizlk
此贴都把寿版都惊动了,呵呵。

因为在高频逆变器里,多变压器模式让我看到了不小的优势,所以对“分变压器”的做法情有独钟。

虽然低频的重没做过,但“凭空想想”觉得或多或少总有些优势的。

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2011-08-13 06:37
@javike
嗯,这种方法对MOS,IGBT均流比较好,我比较喜欢这样整。。。
单个变压同样能做到这些省事省心又可靠 
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2011-08-15 10:53
@电源人生
单个变压同样能做到这些省事省心又可靠[图片] 
高手,佩服,设计的很漂亮!赞一个!另外,这个是多大功率的呢》?
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2011-08-15 15:27
@lizlk
[图片]高手,佩服,设计的很漂亮!赞一个!另外,这个是多大功率的呢》?
照这做有10KVA
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LHHB_2010
LV.3
23
2011-08-16 09:02
@电源人生
照这做有10KVA
如杰,现在自己当老板很久了吧?
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2011-08-16 10:06
@LHHB_2010
如杰,现在自己当老板很久了吧?
什么老板不过帮自已打工吧
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LHHB_2010
LV.3
25
2011-08-16 11:14
@电源人生
什么老板不过帮自已打工吧[图片][图片]
你QQ号多少呢?海剑现在也在帮你做吧?
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xiezran
LV.2
26
2011-08-16 16:52

带隔离变压器的10KW工频逆变器,基于可靠性的原则用IGBT才是合理的。用MOSFET并联的方式只适合小功率段的。

原方并联副方串联的方式非常适合输入输出电压增益很大的场合,也就是输入电压较低时很适用,若电压增益不高,就无必要。这种方式PCB载流毫无压力,但布线不见得会比但功率回路的拓扑压力小。且这个方式所需的PCB尺寸更大。当然模块化设计的话PCB布局和维护有点优势,但不利生产。

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