推挽电路尖峰问题

  正在做正弦波逆变器，前级升压使用是推挽拓扑，用超微晶磁环做了一个变压器，初级带中心抽头，如图所示：
上电后，测得MOSFET的DS间的波形有很大的尖峰，一个是死区有尖峰，还有就是互补管子开通时，关断的管子上有尖峰，而且随着负载的增加，尖峰会越来越高，请问怎么回事。