150W反激用什么方案好呢？全封闭

12V8A  48V3A 两种规格

150W还用反激,不知道效率能不能达到

温升小于40度,LZ你想太多了吧.

你的温升是指外壳表面温度还是里面元器件的温度？
反激的温度一般都很高

外壳表面温升，我目前做的60W温升是35度。这个外壳很大，但是目前还不知道能不能胜任150W。呵呵，功率太大了。

QR     DA BU LIAO ZI 

终端机子做的比较少，不大清楚5级能效是多少.....................另外，你的输入电压没有给出来。

采用QR模式设计，用以下元器件器件，效率可轻易超过90%，温升40-50℃：

600V-650V的MOS，EER4045（fmin:60-70KHZ），EER4215/EER4220(fmian:30-40KHZ)，12V二极管用MBR20100。

采用CCM模式设计，用以下元器件，效率也不难超过90%

600-650V的MOS，EER3540或者EER4045，开关频率66KHZ，KRP控制在0.6-0.7（视输入电压而定），12V采用MBR20100即可。

高功率反激变换器设计，经验大于理论，成败与否，有以下几个关键点：

1、最小Vdcmin设置；

2、漏感比值最小化设计；

3、最佳KRP（气隙及IRMS等电流应力折中设计）设计；

4、最佳占空比设置（VDS及VBRS等电压应力折中设计）。

5、必要时，采用中心柱加气隙的方法获得原边电感量。

6、尽量采用EER等长宽比值较大的磁芯，另外，宁肯采用更大一些的磁芯，开关频率也不要超过100KHZ！！！如有特别的磁芯散热方式，PQ3230或许比较合适。

呵呵，谢谢，这么晚回答我的问题。请问你常用的QRIC是什么型号呢？

NCP1337就很不错

PQ3230在窄范围输入，100KHZ，CCM模式（KRP取0.6-0.7），较小占空比设置，非密闭空间，40℃温升，输出150W估计有可能。

密闭空间磁芯贴散热片，这个没有做过，很大程度上跟散热结构有关吧！

至于QR模式，关键是看怎么设计吧！宽范围输入或者没有PFC，PQ3230应该可能性不大。

一般我都是用国产磁芯，用进口或者其它非常用的材料，就不得而知。

平时就做反激，没有做过LLC，还得学啊

现在也有个150W的案子,5V30A的,想用正激和QR的来做,

正激的用PQ3220,QR的用POT4019的来做,高度有限制,后面用同步,不知道行不行,

正激的效率也不好做,后面的那个储能电感的温度会高,QR的做,不知道能不能做的到,

要么正激，再要么LLC，30A输出，宁肯用494做半桥，也不能用反激啊