调试了几个月的可控硅调光镇流器,感觉最大的难点有两个
1:调光范围受输入电压影响。
2:低亮度启动,异常,闪烁问题。
现在想就第一点跟大家讨论一下,影响调光范围的因素主要有三个方面。
第一:输入电压直接影响调光信号的取样值。
第二:输入电压影响可控硅调光器的切相角,再一次影响调光信号的取样值。
第三:输入电压影响灯功率。
这三点因素加在一起使整个镇流器受输入电压的影响特别大。想做一个完美的可控硅调光镇流器,输出功率不受输入电压影响,就要解决这三个问题。
首先是把调光器改进了,加一个限幅电路,使得调光器的切相角不受输入电压影响(但调光器切相角范围减小30~90度)。
第二个把原来从半桥MOS的源极取样改成灯丝取样,这样灯功率不再受输入电压影响。
第三个就是解决调光信号的取样问题了,以前是采用的整流取平均值取样,但这样受输入电压太大,现在改成微分取样,恒流充电,这就解决了,受输入电压影响的所有因素。只要调光器切相角不变,灯恒功率~~~不知道大家是如何解决以上这些问题的 希望在些探讨一下。