• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

请教各位有经验人士,反激变压器的发热问题~~~

请问一般反激变压器的安全温度在多高以下比较合适?

我做的一个UC3842的反激电源,变压器参数如下:

输入电压为198V,输出24VN1N2=33:4,开关频率F=61.77Khz。功率65W

这个频率会不会太高,请问在这个功率和电压条件下开关频率多高比较合适?

全部回复(6)
正序查看
倒序查看
李益
LV.2
2
2011-10-26 00:40

反激class B的话都是120度以下,一般做到110度以下

频率算比较合适,55K到75K的频率都可以,主要还是要看你的开关管的VDS波形

0
回复
小凡凡
LV.7
3
2011-10-26 00:42

 

 

 

 

 

 

温升限制:

 

 

 

 

 

 

60,或者最高温度小于 90  (磁性元件)

 

 

 

 

60,或者最高温度小于100   (半导体)

30,或者最高温度小于 60  (电解电容)

1、频率60-70KHZ刚好合适;

2、匝数比高了,尽量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,输出采用150-200V的肖特基二极管,UOR取100-120V较合适(控制好漏感,至少在1.5%以下);

3、不要设计在DCM模式,电感量也不要太大,KRP尽量控制在0.7-1.0;

4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T则明显过低。

 

0
回复
2011-10-26 11:39
@小凡凡
      温升限制:      ≤60℃,或者最高温度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高温度小于100℃  (半导体)≤30℃,或者最高温度小于60℃ (电解电容)1、频率60-70KHZ刚好合适;2、匝数比高了,尽量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,输出采用150-200V的肖特基二极管,UOR取100-120V较合适(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要设计在DCM模式,电感量也不要太大,KRP尽量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T则明显过低。 
0
回复
cheng111
LV.11
5
2011-10-26 13:52
@小凡凡
      温升限制:      ≤60℃,或者最高温度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高温度小于100℃  (半导体)≤30℃,或者最高温度小于60℃ (电解电容)1、频率60-70KHZ刚好合适;2、匝数比高了,尽量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,输出采用150-200V的肖特基二极管,UOR取100-120V较合适(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要设计在DCM模式,电感量也不要太大,KRP尽量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T则明显过低。 
详细
0
回复
2011-10-26 21:27
@小凡凡
      温升限制:      ≤60℃,或者最高温度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高温度小于100℃  (半导体)≤30℃,或者最高温度小于60℃ (电解电容)1、频率60-70KHZ刚好合适;2、匝数比高了,尽量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,输出采用150-200V的肖特基二极管,UOR取100-120V较合适(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要设计在DCM模式,电感量也不要太大,KRP尽量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T则明显过低。 

  太感谢了!  MOS管和二极管的耐压我都按最恶劣情况的20%裕度考虑了下。

NP和NS我还只是确定了一个匝数比,具体匝数没计算,准备去那边制造变压器的人咨询一下,主要是怕开关频率取得不合适。谢谢了~

0
回复
zengtx
LV.6
7
2011-10-27 14:33
@小凡凡
      温升限制:      ≤60℃,或者最高温度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高温度小于100℃  (半导体)≤30℃,或者最高温度小于60℃ (电解电容)1、频率60-70KHZ刚好合适;2、匝数比高了,尽量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,输出采用150-200V的肖特基二极管,UOR取100-120V较合适(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要设计在DCM模式,电感量也不要太大,KRP尽量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T则明显过低。 
学习了
0
回复