不难啊，这个
老兄，我也在做，是不是高压变频单元侧高压取能呀！
隔离要求6000V
主要是器件难呀，常用的隔离光耦（AC5000V）在长期2500V工作下，根本不行的。我炸过，很惨，不是100%炸，不过这样更可怕！想想2500V或3000V短路的样子，隔一条街都听到了，用小电容时无事，用在单元电容时跑到第三天时炸的，主要是光耦不行
我和厂家沟通过，标注的隔离5000V光耦，长期工作只能在1400V以内
IXYS的IGBT或场管可用，但供货周期之长，疯呀（半年算短的）
目前我能想到的较好方案为三电平工作方式，单管应力为输入电压的一半，整体发热量小，反馈可用二个光耦串联以加大隔离值。输入EMI为多槽变压器绕成，中间留有一定的空隙，耐压最好10kv/min。
此电源成本效率不用考虑，重点是可靠，在电网电压突变时能保证可靠运行。
还一重点应为输入电压宽 ，以保证在单元电容放电到很低时控制系统还能正常的工作。最好300----2500 或600---2500
忘了问你是交流还值直流了
看你功率mos管有1700v igbt 3300v
不考虑体积的话应该难度不高把
隔离用磁隔离就好不要用光欧
太容易了，１２０－３０００Ｖ，１００Ｗ
电力专用，耐压８ｋｖａｃ，满足局放，瞬间启动（１９０V启动）
能耐变压器短路，次级短路。
，用小电容时无事，用在单元电容时跑到第三天时炸的，主要是光耦不行