MOS管损耗哪个比较大

当然是DCM大,在DCM状态下，MOS关断后由于电感的原因会有衰减振荡，也就意味着会有大U,I重叠，也就是有大的截止损耗

旅长，我也认为是CCM模式下MOS管的损耗大一些。看了精通开关电源设计上面的讲解还是很含糊，请旅长详解啊。

如何降低mosfet的功耗 看看这个附件吧，是中文的哟！！！

这个现象应该是一个成本与电性能最终权衡，而出现DCM的销量略高些！

我觉得不能简单的认为哪个损耗大，要看工作频率高低。频率高时，开关损耗大，DCM模式下，mos开通时刻近似于软开通，而ccm模式开通时电流非0，开通损耗大。

但频率低时，开关损耗比较低，可能还是CCM损耗小

电感的电流波形！

对。CCM模式下，输出的二极管用肖特基，或者超快管！这个管子的选用会影响你的效率，当然还有EMI

在电流平均值固定时，

电流波形变化越剧烈，其有效值（发热等效）也越大，损耗也越大。

故：DCM 时，损耗大。

在占空比不变的前提下，MOS管中的电流有效值越大，损耗就大。这个损耗指的是导通损耗吧？

这样理解，在CCM模式下面，导通时候，MOS管中的RMS相对要小，所以损耗小！

在输入输出不变的前提下，工作频率恒定的状态下，开通损耗与关断损耗呢？CCM大还是DCM大

大侠!请赐教！

谢谢1

DCM模式下，mos开通时刻近似于软开通?大侠，此句可否详解？ZVS开通?还是QR的软开关？

CCM模式开通时电流非0？？MOS开通的时候，MOS管的电流为零这个怎么做到呢？

常见的QR，ZVS，ZCS的定义如下‘

QR---MOS管开通前，原边电感与分布电容，COSS谐振时，在谐振到谷底时候，开通MOS，

ZVS---MOS开通前，MOS的VDS降到零，也就是电流滞后电压

ZCS---MOS关断前，MOS的IDS降到零，也就是电压滞后电流

请赐教

小弟先谢过了！

应该这样说：不管占空比如何，流过MOS管中的电流有效值越大，则导通损耗就越大。

（算有效值已经包含了占空比的因素了）

开关损耗：

在电流平均值和开关频率不变的情况下，开通和关断所产生的损耗，也是电流的变化幅度越大，其损耗也越大。

即：DCM的损耗大

任何事物，不管是自然现象，还是社会现象，都是越平稳，越好。

呵呵，谢谢大侠分析

这么早就来了！