两个办法试试,一是加大过流保护阈值,即减小RSENCE电阻
二是加大保护延时,即增加CDT电容
同意楼上观点
1.增大短路延时,根据电池倍率适当调延时根据MOS管可以控制10MS以下,容性负2200以下,一般1~5MS延时基本可能实现,
2.过流延时加长,不要增大过流值(增大过流值而实现容性负载有很大弊端)