同步整流MOS空载易损坏

耐压没有问题，12V用的是100V的MOS管，满载都不会有问题的。变压器的匝比为NP：NS：NB＝40：6：8，LP＝400uH

初级IC是什么型号？空载时的初级工作模式是什么样的？把同步整流mosfet取掉，先换成二极管整流，能否抓个稳态时候和开关机时候的二极管两端的波形看一下？

我怀疑不是mosfet的问题，100V耐压做12V输出应该是够的，估计是你同步整流有问题，有交越，特别是开关机瞬间波形可能是不稳定，还存在同步整流在动态下响应脉宽调整配合的问题。

另外你用过其他类似芯片也有遇到此问题，但我直觉你没有用过我们的，我们的有专门针对动态调整有设计预防开关机炸机和工作中的动态调整和预防交越的死区控制功能

空载上电，MOSFET就坏，可以排除电压和电流的问题，那么剩下来的也就是MOSFET的导通时序问题了，如果一次侧MOSFET和二次侧MOSFET同时导通的话，那肯定是会烧的啊。当然，没看到你的板子，不敢妄加猜测。其实你可以试一下台湾尼克森的同步整流IC N3701V,这颗IC不论是空载和满载，都不会有烧MOSFET的问题，并且效率表现非常不错。

谢谢各位同仁的关心，不过本人不打算用同步整流了，18V90W与32V90W不加同步整流是没有问题的，就是12V得降额了，就做到65W，输出5A基本也够用了。加了同步整流牺牲稳定性在我们这种安防系统上还是不可取的。不打算再耗心神了，等哪天比较有空再来玩一下。

初级的IC是用OB2203,QR模式的，空载下是间歇工作模式，有时候波形确实会乱点。可能空载上电有共通的现象，空载上电瞬间是工作于类似CCM的模式。可能同步整流芯片检测不可靠。

下面是空载波形，有抓到比较乱的。

下面是满载波形：

你要用示波器双通道检测把Vds-Vgs 抓到一个界面上才能对比时序。不过我看你那空载的Vds波形，空载上电下类似于CCM，并且间歇工作模式下Vds的占空比和频率都是有可能有变化的，你应该是99%是因为交越了，交越原因一是死区问题，二是动态保护IC的Vgs输出跟不上Vds的变化（CCM下着风险很高的）。你有没有另外测试一下在低压输入的时候关机啊？2203在低压输入的时候关机有瞬间的连续模式的，如果你没有动态保护和死区调整，估计你低压输入时候关机都有可能炸mosfet的。1167是ZVS的，个人认为不适合用在CCM下，并且还没有动态保护，在你开关机和做负载大动态变化的时候都有可能炸即烧mosfet的。

用我们的方案配套和东莞客户配合用OB2203配合做12V90W已经生产2年了，我们的方案很好配合，有专门的动态保护和死区调整功能,除开正常工作效率高外，在开关机和大动态负载变化时候都没有问题。

最近有客户问，能否做85-264VAC  INPUT,15V/5A OUT电源，能达到EUP3标准，不用ACTIVE PFC,采用FLYBACK,CORE:EC3435

去掉整续流的驱动 调好同步整流驱动在上电

应该是驱动电平没有调好

最近在研究这个,我认为很有可能是这样的.空载的时候,上管的导通时间很短.下管的导通时间就长.这时候会发生"交越",就是反过来看,后面的电容提供电能,!!!升压!!!输出到电源.在下管上产生大电压.

我也不能肯定是不是这个原因,我一直在找相关的资料或是方法.让下管关的及时.

这个不用看，肯定是两管直通了，我之前遇到过，在两个同步整流的驱动加个快速关断线路应该就没什么问题了。。。