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第一次设计变压器, 恳请各位辈指点!

要求规格是 85~265 ACin, 12V 800mA DCout, 使用MOSFET 2N60,
相关参数: 50KHz, Dmax=0.5 效率0.7
变压器设计如下, 有参考这里一位朋友的变压器计算工具.
其中辅助线圈的计算公式为Na>10V/(Vdc(min)/Np + (Vo+Vf)/Ns),
也有看到辅助线圈计算公式只有初级部分的, 不知哪种合理?
变压器规格如图:500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1143121666.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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zincyeeric
LV.4
2
2006-03-24 08:00
自己顶
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zincyeeric
LV.4
3
2006-03-24 10:48
@zincyeeric
自己顶
再顶~
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zhiquang
LV.5
4
2006-03-24 11:12
@zincyeeric
再顶~
你的匝数比有点偏小(建议将次级加2T),电感可适当调大一点,使之工作在CCM状态;另外绕组两边加1.5mm的MARGIN TAPE,以满足UL安规
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zincyeeric
LV.4
5
2006-03-24 11:40
@zhiquang
你的匝数比有点偏小(建议将次级加2T),电感可适当调大一点,使之工作在CCM状态;另外绕组两边加1.5mm的MARGINTAPE,以满足UL安规
谢谢朋友指点,
我将电感增加到1.8mH, 次级线圈改到16N.
仍有一点不明, 按照计算公式, 我得理解是:CCM模式只会出现在最差情况之下,
正常情况下, 输入电压都大于最小值, 而输出亦没有达到额定功率, 应该是一直工作在DCM模式之下, 所以朋友所说的使之工作在CCM模式下, 有些无法理解, 可否解释下
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zhiquang
LV.5
6
2006-03-24 15:07
@zincyeeric
谢谢朋友指点,我将电感增加到1.8mH,次级线圈改到16N.仍有一点不明,按照计算公式,我得理解是:CCM模式只会出现在最差情况之下,正常情况下,输入电压都大于最小值,而输出亦没有达到额定功率,应该是一直工作在DCM模式之下,所以朋友所说的使之工作在CCM模式下,有些无法理解,可否解释下
所谓连不连续,是指开关管在重复下一个导通时,仍在给次级端释放能量,是否为连续性你可以通过示波器观测得出来.
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xiaosshe
LV.4
7
2006-03-24 15:14
请问你是用什么软件计算的呢?我用PExprt算出来的电感比你大了5倍.
可以看看你的计算方法吗?xiaosshe@yahoo.com.cn
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zincyeeric
LV.4
8
2006-03-24 16:05
@xiaosshe
请问你是用什么软件计算的呢?我用PExprt算出来的电感比你大了5倍.可以看看你的计算方法吗?xiaosshe@yahoo.com.cn
已经发送, 是坛子里一个朋友共享出来的
不过大多的公式我有参考多份资料验证过, 只是一些初值的选取可能有个人习惯的关系

没有见过你所说的PExprt
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zincyeeric
LV.4
9
2006-03-24 16:08
@zhiquang
所谓连不连续,是指开关管在重复下一个导通时,仍在给次级端释放能量,是否为连续性你可以通过示波器观测得出来.
我明白了~
谢谢~
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zhiquang
LV.5
10
2006-03-24 16:16
@zincyeeric
我明白了~谢谢~
一般而言,减小初次级之间的匝数比,可以减小次级的反射电压,有利于减少开关管的耐压程度.
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xiaosshe
LV.4
11
2006-03-24 16:26
@zincyeeric
已经发送,是坛子里一个朋友共享出来的不过大多的公式我有参考多份资料验证过,只是一些初值的选取可能有个人习惯的关系没有见过你所说的PExprt
谢谢,我去看一下.我也赞同,你一般B选多少?
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zincyeeric
LV.4
12
2006-03-24 16:34
@zhiquang
一般而言,减小初次级之间的匝数比,可以减小次级的反射电压,有利于减少开关管的耐压程度.
你是指Vfl 或 Vor
是Toff期间次级感应的初级的电压,
我当初选取100V即112/14的圈数比 = 100V/12.7V
这个值在最差情况下距离2N60 的600V 还有30V margin,确实有些偏小.
我还有一个疑问, 在选取Vor时, Vor=Vdss-VdcinMAX-Vspk-Vmargin
这个Vspk 是由初级线圈的寄生电感产生的, 我参考资料选取95V@375Vdc, 但是具体如何计算出来以及寄生电感如何确定却不是很清楚, 朋友能否给讲解一下
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zincyeeric
LV.4
13
2006-03-24 16:35
@xiaosshe
谢谢,我去看一下.我也赞同,你一般B选多少?
300mT
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zhiquang
LV.5
14
2006-03-24 17:02
@zincyeeric
你是指Vfl或Vor是Toff期间次级感应的初级的电压,我当初选取100V即112/14的圈数比=100V/12.7V这个值在最差情况下距离2N60的600V还有30Vmargin,确实有些偏小.我还有一个疑问,在选取Vor时,Vor=Vdss-VdcinMAX-Vspk-Vmargin这个Vspk是由初级线圈的寄生电感产生的,我参考资料选取95V@375Vdc,但是具体如何计算出来以及寄生电感如何确定却不是很清楚,朋友能否给讲解一下
你这里所说的Vspk就是次级感应到初级的反射电压,为(Vo+Vd)*(Np/Ns)
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zincyeeric
LV.4
15
2006-03-24 17:19
@zhiquang
你这里所说的Vspk就是次级感应到初级的反射电压,为(Vo+Vd)*(Np/Ns)
我有些糊涂了, 你说的Vspk 是我对Vfl 的理解
Vor or Vfl 是用来计算N, 初次级线圈比
我参看一份英文资料,上面是这样描述的
Vfl: secondary reflected voltage
Vspk: Voltage Spike(caused by primary parasitic inductance at max input voltage)

Vfl = Vdss - Vdcmax - Vmargin - Vspk
N = Np/Ns = Vfl/(Vo+Vd)
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zhiquang
LV.5
16
2006-03-24 17:29
@zincyeeric
我有些糊涂了,你说的Vspk是我对Vfl的理解VororVfl是用来计算N,初次级线圈比我参看一份英文资料,上面是这样描述的Vfl:secondaryreflectedvoltageVspk:VoltageSpike(causedbyprimaryparasiticinductanceatmaxinputvoltage)Vfl=Vdss-Vdcmax-Vmargin-VspkN=Np/Ns=Vfl/(Vo+Vd)
N = Np/Ns = Vfl/(Vo+Vd) 你提供的这个公式和我给你的是等效的,仔细看看就知道了.不予盾.
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