相关参数: 50KHz, Dmax=0.5 效率0.7
变压器设计如下, 有参考这里一位朋友的变压器计算工具.
其中辅助线圈的计算公式为Na>10V/(Vdc(min)/Np + (Vo+Vf)/Ns),
也有看到辅助线圈计算公式只有初级部分的, 不知哪种合理?
变压器规格如图:
第一次设计变压器, 恳请各位辈指点!
要求规格是 85~265 ACin, 12V 800mA DCout, 使用MOSFET 2N60,
相关参数: 50KHz, Dmax=0.5 效率0.7
变压器设计如下, 有参考这里一位朋友的变压器计算工具.
其中辅助线圈的计算公式为Na>10V/(Vdc(min)/Np + (Vo+Vf)/Ns),
也有看到辅助线圈计算公式只有初级部分的, 不知哪种合理?
变压器规格如图:
相关参数: 50KHz, Dmax=0.5 效率0.7
变压器设计如下, 有参考这里一位朋友的变压器计算工具.
其中辅助线圈的计算公式为Na>10V/(Vdc(min)/Np + (Vo+Vf)/Ns),
也有看到辅助线圈计算公式只有初级部分的, 不知哪种合理?
变压器规格如图:
全部回复(15)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢，说说你的想法
@zhiquang
一般而言,减小初次级之间的匝数比,可以减小次级的反射电压,有利于减少开关管的耐压程度.
你是指Vfl 或 Vor
是Toff期间次级感应的初级的电压,
我当初选取100V即112/14的圈数比 = 100V/12.7V
这个值在最差情况下距离2N60 的600V 还有30V margin,确实有些偏小.
我还有一个疑问, 在选取Vor时, Vor=Vdss-VdcinMAX-Vspk-Vmargin
这个Vspk 是由初级线圈的寄生电感产生的, 我参考资料选取95V@375Vdc, 但是具体如何计算出来以及寄生电感如何确定却不是很清楚, 朋友能否给讲解一下
是Toff期间次级感应的初级的电压,
我当初选取100V即112/14的圈数比 = 100V/12.7V
这个值在最差情况下距离2N60 的600V 还有30V margin,确实有些偏小.
我还有一个疑问, 在选取Vor时, Vor=Vdss-VdcinMAX-Vspk-Vmargin
这个Vspk 是由初级线圈的寄生电感产生的, 我参考资料选取95V@375Vdc, 但是具体如何计算出来以及寄生电感如何确定却不是很清楚, 朋友能否给讲解一下
0
回复
提示
@zhiquang
你这里所说的Vspk就是次级感应到初级的反射电压,为(Vo+Vd)*(Np/Ns)
我有些糊涂了, 你说的Vspk 是我对Vfl 的理解
Vor or Vfl 是用来计算N, 初次级线圈比
我参看一份英文资料,上面是这样描述的
Vfl: secondary reflected voltage
Vspk: Voltage Spike(caused by primary parasitic inductance at max input voltage)
Vfl = Vdss - Vdcmax - Vmargin - Vspk
N = Np/Ns = Vfl/(Vo+Vd)
Vor or Vfl 是用来计算N, 初次级线圈比
我参看一份英文资料,上面是这样描述的
Vfl: secondary reflected voltage
Vspk: Voltage Spike(caused by primary parasitic inductance at max input voltage)
Vfl = Vdss - Vdcmax - Vmargin - Vspk
N = Np/Ns = Vfl/(Vo+Vd)
0
回复
提示
@zincyeeric
我有些糊涂了,你说的Vspk是我对Vfl的理解VororVfl是用来计算N,初次级线圈比我参看一份英文资料,上面是这样描述的Vfl:secondaryreflectedvoltageVspk:VoltageSpike(causedbyprimaryparasiticinductanceatmaxinputvoltage)Vfl=Vdss-Vdcmax-Vmargin-VspkN=Np/Ns=Vfl/(Vo+Vd)
N = Np/Ns = Vfl/(Vo+Vd) 你提供的这个公式和我给你的是等效的,仔细看看就知道了.不予盾.
0
回复
提示
