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求MOS管驱动电阻的计算方法

鄙人现在在调试几款电源的辐射，发现把MOS管的驱动电阻改大，效果很明显。但是怕改大了对MOS管的驱动有影响，请教各位高手这个电阻改怎么计算。。。。。。。。。。。谢谢！

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zq2007
LV.11
2
2012-02-15 15:19
这就是一个效率与辐射的折中选择，没有绝对的计算方法。
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绵阳人
LV.4
3
2012-02-16 18:55
@zq2007
这就是一个效率与辐射的折中选择，没有绝对的计算方法。

没有一个大楷的计算方法吗？

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jingzy
LV.4
4
2012-02-17 10:09

这个只是RC充电的问题，C指的是MOS管的结电容，个人理解

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zxcmnbv888
LV.5
5
2012-02-17 10:34
@绵阳人
没有一个大楷的计算方法吗？
加大R di/dt 變小,對你的輻射有幫助,但效率下降,兩者可權衡利幣,若加太大,效率引響嚴重,就要考盧從其它方面解決EMI 換mos 或 你布板方面更改,或變壓器繞線方式更改==  若效率影響不大,加大點驅動電阻沒問題
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小巩
6
2012-02-17 11:07
@jingzy
这个只是RC充电的问题，C指的是MOS管的结电容，个人理解
学习中。
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绵阳人
LV.4
7
2012-02-17 18:51
@小巩
学习中。

谢谢指点...................

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yong168
LV.7
8
2012-02-17 18:58
一般来说，驱动电阻小，驱动电压上升要快，MOS导通快，但是对EMI不好，驱动电阻大的话，驱动电压上升慢，MOS导通慢，效率会有影响，所以这个值要折中取值，通常的话，并多个电阻和二极管，相对来说，会好一点~~~
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小巩
9
2012-02-17 20:26
@yong168
一般来说，驱动电阻小，驱动电压上升要快，MOS导通快，但是对EMI不好，驱动电阻大的话，驱动电压上升慢，MOS导通慢，效率会有影响，所以这个值要折中取值，通常的话，并多个电阻和二极管，相对来说，会好一点~~~

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绵阳人
LV.4
10
2012-02-18 15:01
@小巩
[图片]

今天去测试，辐射在30KHZ的时候，超了1DB，怎么搞都不下去，有没有高手指点一下啊！驱动电阻改大也没有用

 

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小巩
11
2012-02-18 15:15
@绵阳人
今天去测试，辐射在30KHZ的时候，超了1DB，怎么搞都不下去，有没有高手指点一下啊！驱动电阻改大也没有用 
看来这个还是真不好整呀。
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zxcmnbv888
LV.5
12
2012-02-19 21:42
@绵阳人
今天去测试，辐射在30KHZ的时候，超了1DB，怎么搞都不下去，有没有高手指点一下啊！驱动电阻改大也没有用 

什么30K 辐射那么低吗 30M 好不好，把你原理图发上来看看 你做的是多大功率的

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yong168
LV.7
13
2012-02-19 23:30
@绵阳人
今天去测试，辐射在30KHZ的时候，超了1DB，怎么搞都不下去，有没有高手指点一下啊！驱动电阻改大也没有用 

这样的话，变压器上面加0.9圈铜箔吧···这样应该可以过的了··

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小巩
14
2012-02-20 10:00
@yong168
这样的话，变压器上面加0.9圈铜箔吧···这样应该可以过的了··

学习中。

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jingzy
LV.4
15
2012-02-20 10:15
@yong168
这样的话，变压器上面加0.9圈铜箔吧···这样应该可以过的了··

学习中！

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绵阳人
LV.4
16
2012-02-20 20:09
@yong168
这样的话，变压器上面加0.9圈铜箔吧···这样应该可以过的了··

你是说外铜箔吗？

内铜箔我是用线绕的

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