新学电源设计,奈何一直没人指点,真心求教!请各位大侠们不吝赐教!感激不尽!
一直看的《精通开关电源设计》,后来通过人介绍用 PI 软件设计了一个反激电源,然后运用书上 反激变换器磁学技术 一章内容演算,发现了诸多问题,我想这本书这么多人推崇应该是不会错的,现在想征求各位高手的意见,到底是我自己理解上出问题,还是PI软件设计时候出错了...以下贴出数据及问题
输入195~265V 输出12V 2A 反激式开关电源
PI软件给出 VoR=135 V Vz=175V MOSFET:TOP253EN f=132KHZ NP=85 NS=8 估计效率=83%
按照书上说法,n=VoR/(Vo+VD)=135/(12+1)=10.38
Pin=P0/效率=24/0.83=28.9 W
Iin=Pin/Vinmin=28.9/(195*√2)=0.105 A
IoR=Io/n=2/10.38=0.193 A
D=Iin/(Iin+IoR)=0.123/(0.105+0.193)=0.352
IL=Io/(1-D)=2/(1-0.352)=3.08 A
ILR=IL/n=3.08/10.38=0.297 A
ton=D/f=0.352/132000=2.667 us
Et=Von*ton=Vinmin*ton=195*√2*2.667=733.42 Vus
LP=Et/ILR*r 我默认r为0.5,得 LP=733.42/(0.297*0.5)=4938.8 uH ! !!! 竟然初级电感量达到如此之高!!!!!!
这样,我们再用PI软件给出的初级电感量LP=865 uH 来计算 r 试试
根据 r=(Von*D)/(LP*IL*f)=(195*√2*0.352)/(865*0.297*132000)=2.854 r>2
也不是说r就一定不能大于2,但是,我总感觉这里的设计是不是有问题?还是我自己哪里的问题?一直困惑我好久找不到原因,请各位大师指点一下!还有如果我按这样的设计制作出来能成功吗?下面附上原理图和设计数据,如果有优化和要改良的地方敬请告之,不胜感激
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