持续更新到底---电源设计当中的一些实用小电路（大家一起来探讨）

第一例：图腾柱驱动电路 

先上图，具体分析下班回去说明

说明：

          Qn：N BJT

          Qp：P BJT

          Qmos：待驱动NMOS

          Rb：基极电阻

          Cb：加速电容

          Rc：集电极电阻

          Rg：驱动电阻

原理分析：

首先，我们先定性的分析一下：

待放大的信号Drv_b（驱动能力很弱）通过这么一个电路，从三极对管的发射极公共端出来得到驱动能力（带载能力）大大增强的信号Drv_g；

从能量的角度来讲，弱能量信号Drv_b通过Qn和Qp的作用，从Vcc取电（获取能量），从而变成了携带高能量的Drv_g信号；

在这个能量传递的过程中，Qn和Qp分别交替工作在截至和饱和状态；

具体工作过程（逻辑分析）如下（这里以方波为例，1代表高电平，0代表零电平，-1代表负电平；Vb表示Qn和Qp的公共基极电压，Vqn_c表示Qn管子的集电极电压，Vqn_be表示Qn管子基极-发射极电压，Vqp_be表示Qp基极-发射极电压）：

Drv_b=1，Vb=1，Vqn_be=1，因为：Vqn_ce=1，所以，Qn管饱和导通，Qn管电流主要由集电极流向发射极，Drv_g=1； 

Drv_b=0，Vb=0，Vqp_be=-1，因为：Vqp_ec=1，所以，Qp管饱和导通，Qp管电流主要由发射极流向集电极，Drv_g=0;

此以上为电路工作的逻辑过程；

定量分析明天有空继续

多谢鼓励！

个人以为这个里面的内容很多；

以后还请Z哥多多指教；

Drv_b=0，Vb=0，Vqp_be=-1，因为：Vqp_ec=1

这个Vqp_ec=1怎么理解，是Drv_b=0刚转变那一会的值吗

MOS管的结电容电压；

这个就涉及到MOS管结构方面的问题了；被驱动的MOS栅极和流集之间以及栅极和漏极之间有输入结电容Coss_gs，Coss_gd,MOS的驱动过程，就是对输入结电容充放电的过程；在Qn导通时，电容充电；当电压达到MOS的开启电压时候，MOS开启；Qn截止，这个时候，电容两端是有电压的；MOS结电容放电，通过Qp管子加速放电；

本质上来讲，上管Qn的作用是对MOS充电，下管Qp的作用是对MOS进行放电；

嗯；正是这么打算的；先仿真一下，贴出仿真波形；

然后，再进行实物实际参数的分析；

好贴先留名