反激变压器设计，求助

一、输入输出指标：

 

输入：9V-18V DC

输出：1、23V   300mA 给A相IGBT上桥驱动

            2、23V   300mA 给B相IGBT上桥驱动

            3、23V   300mA 给C相IGBT 上桥驱动

            4、23V   300mA 给A、B、C相IGBT 下桥驱动

            5、18V   100mA 后接LDO，转换成+15V，给模拟部分供电

            6、-18V   100mA后接LDO，转换成-15V，给模拟部分供电

            7、12V   200mA 给解码电路及外部需隔离的器件供电

            8、6V    800mA 后接LDO，转换成+5V，给数字部分供电

                            +5V再后接+3.3V，+1.5V LDO，给MCU供电

效率：η = 85%

开关频率：fs=200kHz

 

二、基本参数计算

 

输入最小电压

 

VINmin=9V

输出功率

POUT=23×0.3×4+18×0.1×2+12×0.2+6×0.8=38.4W

输入功率

PIN=POUTη=38.40.85=45.2W

应使用45.2*3 = 135.2uF的输入电容，这里选择标准值330uF/25V的输入电容

 

三、确定VOR与VZ

VINmax= 18V

选择MOSFET为Infineon公司IPD144N06NG额定电压为60V，额定电流为50A，取20%安全余量，

VIN + VZ ≤ 50V

VZ ≤ 50V – 18V = 32V

选择稳压管为ON Semi公司1SMB5935BT3，其VZ典型值为27V

取

VOR =9V

 

四、匝比

 

输出二极管选择FairChild公司ES1A，正向导通压降为0.92V@1A，正向电流为1A

则6V绕组所需匝比为：

n6V =VORVO + VD=96 + 0.92= 1.301

取n6V=2

 

五、最大占空比（理论值）

 

VINmin = 9V

Dmax=VORVOR + VINmin= 99+9 =0.5

 

五、计算初级电感

 

LP=(VINmin×Dmax)22×PIN×fs×KRF

      =(9×0.5)22×45.2×200×103×0.6

     =1.87uH

取LP=2uH

其中KRF为电流纹波因子。

 

六、选择磁芯

 

由于输出功率为38.4W，留出余量，选择EE30（EF25）磁芯。其参数如下：

Ve=6290mm3，Ae=109mm2，le=57.7mm

(Ve=2990mm3，Ae=51.8mm2，le=57.8mm)

 

Ap=AwAe=73.35×109=7995mm4

(Ap=AwAe=91.7×51.8=4752mm4)

 

七、最小初级匝数

 

IPeak=2×KRF×PINVINmin×Dmax=2×0.6×45.29×0.5=12.05A

 

NPmin=LP×IPeakBm×Ae

             =2×10-6×12.050.25×109×10-6

             =0.88

 

取NP=2

 

八、初级、次级匝数关系

NS_6V=NPn6V=21.301=1.537T

 

取NS_6V=2T

则NP=2×1.301=2.6≈3T

NS_23V=23+0.926+0.92×2=7T

NS_18V=18+0.926+0.92×2=6T

NS_12V=12+0.926+0.92×2=4T

九、选择线径

 

十、计算气隙