电容CL11和CL21是怎样定义的
电容CL11和CL21是怎样定义的
全部回复(8)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢，说说你的想法
1、铝电解电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流,容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波.
电容量:0.47~10000u
额定电压:6.3~450V
主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
2、钽电解电容器(CA)铌电解电容(CN)
用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中.
电容量:0.1~1000u
额定电压:6.3~125V
主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容
应用:在要求高的电路中代替铝电解电容
3、薄膜电容器
结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路.
a 聚酯(涤纶)电容(CL)
电容量:40p~4u
额定电压:63~630V
主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差
应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路
b 聚苯乙烯电容(CB)
电容量:10p~1u
额定电压:100V~30KV
主要特点:稳定,低损耗,体积较大
应用:对稳定性和损耗要求较高的电路
c 聚丙烯电容(CBB)
电容量:1000p~10u
额定电压:63~2000V
主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差
应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路
4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝.引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路.
a 高频瓷介电容(CC)
电容量:1~6800p
额定电压:63~500V
主要特点:高频损耗小,稳定性好
应用:高频电路
b 低频瓷介电容(CT)
电容量:10p~4.7u
额定电压:50V~100V
主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差
应用:要求不高的低频电路
5、独石电容器
(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路.
容量范围:0.5PF~1UF
耐压:二倍额定电压.
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等.
应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路.
6、纸质电容器
一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为0.008~0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成.制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量
一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用.油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适用于高压电路.
7、微调电容器
电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值. 瓷介微调电容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种. 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差. 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用.
a 空气介质可变电容器
可变电容量:100~1500p
主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用:电子仪器,广播电视设备等
b 薄膜介质可变电容器
可变电容量:15~550p
主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大
应用:通讯,广播接收机等
c 薄膜介质微调电容器
可变电容量:1~29p
主要特点:损耗较大,体积小
应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿
d 陶瓷介质微调电容器
可变电容量:0.3~22p
主要特点:损耗较小,体积较小
应用:精密调谐的高频振荡回路
8、陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成.它又分高频瓷介和低频瓷介两种. 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器.低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉.这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿.高频瓷介电容器适用于高频电路.
9、玻璃釉电容器(CI)
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008
电容量:10p~0.1u
额定电压:63~400V
主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)
应用:脉冲、耦合、旁路等电路
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流,容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波.
电容量:0.47~10000u
额定电压:6.3~450V
主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
2、钽电解电容器(CA)铌电解电容(CN)
用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中.
电容量:0.1~1000u
额定电压:6.3~125V
主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容
应用:在要求高的电路中代替铝电解电容
3、薄膜电容器
结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路.
a 聚酯(涤纶)电容(CL)
电容量:40p~4u
额定电压:63~630V
主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差
应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路
b 聚苯乙烯电容(CB)
电容量:10p~1u
额定电压:100V~30KV
主要特点:稳定,低损耗,体积较大
应用:对稳定性和损耗要求较高的电路
c 聚丙烯电容(CBB)
电容量:1000p~10u
额定电压:63~2000V
主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差
应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路
4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝.引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路.
a 高频瓷介电容(CC)
电容量:1~6800p
额定电压:63~500V
主要特点:高频损耗小,稳定性好
应用:高频电路
b 低频瓷介电容(CT)
电容量:10p~4.7u
额定电压:50V~100V
主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差
应用:要求不高的低频电路
5、独石电容器
(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路.
容量范围:0.5PF~1UF
耐压:二倍额定电压.
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等.
应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路.
6、纸质电容器
一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为0.008~0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成.制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量
一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用.油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适用于高压电路.
7、微调电容器
电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值. 瓷介微调电容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种. 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差. 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用.
a 空气介质可变电容器
可变电容量:100~1500p
主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用:电子仪器,广播电视设备等
b 薄膜介质可变电容器
可变电容量:15~550p
主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大
应用:通讯,广播接收机等
c 薄膜介质微调电容器
可变电容量:1~29p
主要特点:损耗较大,体积小
应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿
d 陶瓷介质微调电容器
可变电容量:0.3~22p
主要特点:损耗较小,体积较小
应用:精密调谐的高频振荡回路
8、陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成.它又分高频瓷介和低频瓷介两种. 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器.低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉.这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿.高频瓷介电容器适用于高频电路.
9、玻璃釉电容器(CI)
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008
电容量:10p~0.1u
额定电压:63~400V
主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)
应用:脉冲、耦合、旁路等电路
0
回复
提示
@brightshine
1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流,容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波.电容量:0.47~10000u额定电压:6.3~450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等2、钽电解电容器(CA)铌电解电容(CN) 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中.电容量:0.1~1000u额定电压:6.3~125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容3、薄膜电容器 结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路.a聚酯(涤纶)电容(CL)电容量:40p~4u额定电压:63~630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路b聚苯乙烯电容(CB)电容量:10p~1u额定电压:100V~30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路c聚丙烯电容(CBB)电容量:1000p~10u额定电压:63~2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路4、瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝.引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路.a高频瓷介电容(CC)电容量:1~6800p额定电压:63~500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路b低频瓷介电容(CT)电容量:10p~4.7u额定电压:50V~100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路5、独石电容器 (多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路.容量范围:0.5PF~1UF耐压:二倍额定电压.电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等.应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路.6、纸质电容器 一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为0.008~0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成.制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用.油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适用于高压电路.7、微调电容器 电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值.瓷介微调电容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种.云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差.线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用.a空气介质可变电容器可变电容量:100~1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备等b薄膜介质可变电容器可变电容量:15~550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等c薄膜介质微调电容器可变电容量:1~29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿d陶瓷介质微调电容器可变电容量:0.3~22p主要特点:损耗较小,体积较小应用:精密调谐的高频振荡回路8、陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成.它又分高频瓷介和低频瓷介两种.具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器.低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉.这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿.高频瓷介电容器适用于高频电路.9、玻璃釉电容器(CI) 由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008电容量:10p~0.1u额定电压:63~400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)应用:脉冲、耦合、旁路等电路
ding!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
0
回复
提示
