SY5800
如果你的输出电流小于500mA,那么,正常效率应该为:
89% @ 120V
90-91% @ 220V
你的效率偏低,请调整MOS管的驱动,RCD吸收和变压器漏感变比线径。
工作频率控制在:50-60KHZ @ 120V, 80-90KHZ @ 220V
如果各项做的比较到位的话,92% @ 220V是完全可能的。
我也是一个SY5800用户,一点意见,供你参考。
另外,要小心高低压切换损坏MOSFET,主要是注意变压器的B值要控制在0.22以内。
否则,从低压切换到高压易损坏MOSFET。但从高压切换到低压不会损坏的(即使B值过高)。
你在研发、测试和生产过程中,还会碰到问题,需要多留意。
同行,路过,给你提个醒。
前輩~小弟能否在此跟您請教一下,附件為SY5800試算表,其中內容有幾個參數不太明白...
就是L6項目(RLED)及B32項目(I%)這兩個參數是怎麼決取的,不知能否解說給小弟瞭解一下!
小弟先在此感恩了!
Flyback Transformer Calculated Form For PFC function 6Mar2011
你好:
L6的问题,主要涉及阻抗匹配,与B32项计算有用,供计算参考而已。
B32项,指的是你想要达到的输出电流纹波的百分比,一般而言,取30%时,输出电解电容较小些,省点成本,但输出纹波电流稍大些。30%这个值,也是LED灯珠在寿命范围内可以接受的最大值了。
请尽量取在20%
供你参考。
这个SY5800优点是:
1、电路简单,PSR控制,省去次级电路,效率提高,成本降低;
2、由于有限频功能,且限频后仍然工作在QR零电流开通,使得产品效率可以做的很高,这也是所有PSR方案中最特出的优点了;
3、限频后,恒流计算精度得到提高;
缺点是:
1、启动电路不好,电阻负载不能可靠启动。LED灯载,在半压输出或低压85V输入时,启动不可靠;外加恒流启动电路,启动可靠了,但又导致了新的问题...;
2、Isen易受干扰,导致恒流精度不足,PCB布线要短,地线要合理;
3、大电流输出时,有新的问题发生,更需要精心理解IC的构造;
4、要求变压器漏感要小,否则,输出恒流值有时间漂移和温度漂移的问题,且超过5%;
同行路过,交流一下,也给各位提个醒。供你参考!
提醒各位:
1、在批量生产前,一定要深入理解这颗IC的特点;
2、尽量做完整样品测试;
3、一定要做试产,充分暴露完问题,否则,产品一致性难以保证;
4、盲目抄板不可取;
5、多数原厂FAE对这个IC的理解也不充分,只是一味地说自己的IC好,避开毛病和问题;
关于减少漏感和分布电容,这是个基本问题,可以找相关资料查阅。
我给你点建议:
1、“三明治”绕法是减少漏感的方法,要注意合适选择“金包银”或“银包金”绕法;
2、也有采用“五明治”绕法,当然,成本增加太多,需要在成本和性能之间作出合理选择;
3、每个绕组以一层为选择原则,以减小层间电容。要选择合适的磁芯和注意变压器饱和问题;
4、输出电压选择在50V以上,以增加初次级的藕合,从而减小漏感;
关于20贴的RCD问题
SY5800由于是初级控制型技术,附带了一个优点,就是此芯片有开机软启动功能,虽然在规格书中没有描述。实际测试是完全没有开机过冲,包括MOSFET过冲和输出过冲,这就可以适当放宽RCD吸收创造了条件,加上减小漏感和分布电容,合理选择电压反射比,在输出电压大于80V,输出恒流100mA时,省去RCD完全没有问题,效率可以达到92%@120V。
对于更低输出电压、更高输出电流的产品,或更高功率的产品,我没有试验过,省去RCD应该是不合适的,请各位自行试验,可能有提高效率的更好的见解!
以上建议仅供参考,不一定是最好的方法。
非常感谢楼主的解说
针对楼主说的去掉RCD提高效这种做法,还得真的想去试试看!!!
兄弟,我调了个SY5800的,6个样机,输出81V 315MA,同一电路,同一变压器,做出来的产品,3个输出达到81V,3个只能到72V,请问兄弟有无遇到这个问题?你认为问题出在哪里?我的电路与网上提供的一致。
你的问题,我的感觉是VCC的OVP起保护了:
1、VCC的OVP误差较大,应该是引起你输出不一致的原因;
2、ZCS也有OVP功能,精度较高,应该不是这个问题;
建议:
1、减少自举绕组匝数,降低VCC值,偏离VCC的OVP,VCC的OVP为15-17.6V。
2、临时增大自举整流电阻值,以降低VCC;
3、让OVP由ZCS起作用,这样,就可以提高最大输出电压的精度;
一点建议,供你参考!