bp3309炸机问题
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@mofa520
是有这个问题,它的MOS管直接接IC,只要有大电流流过,IC很容易就OVER了!听说后来又修改版本会好点??
炸机的根本问题在于,这颗芯片是S级驱动,在输入端掉电的时候,ST脚电压掉到5V以下的速度比VCC脚掉到7V以下的速度要快,从而MOS进入到驱动能力不足的状态,如果输入端上电快速开关的话,MOS管就会一直工作在欠驱动状态,导致结温上升摧毁MOS,芯片和检测电阻,及与芯片相连的元器件,解决的方法也很简单,只需加大ST电容,让VCC脚电容的容量小于5倍ST脚电容容量,就可以根本上解决这个炸机问题(可用示波器观察ST脚和VCC脚的掉电时间),建议使用:ST电容,470nF,vcc电容,2.2UF 或者:ST电容,1UF, VCC电容,4,.7UF
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@瞌睡虫
炸机的根本问题在于,这颗芯片是S级驱动,在输入端掉电的时候,ST脚电压掉到5V以下的速度比VCC脚掉到7V以下的速度要快,从而MOS进入到驱动能力不足的状态,如果输入端上电快速开关的话,MOS管就会一直工作在欠驱动状态,导致结温上升摧毁MOS,芯片和检测电阻,及与芯片相连的元器件,解决的方法也很简单,只需加大ST电容,让VCC脚电容的容量小于5倍ST脚电容容量,就可以根本上解决这个炸机问题(可用示波器观察ST脚和VCC脚的掉电时间),建议使用:ST电容,470nF,vcc电容,2.2UF 或者:ST电容,1UF,VCC电容,4,.7UF
值得去验证,到时候试试,谢谢!
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@瞌睡虫
炸机的根本问题在于,这颗芯片是S级驱动,在输入端掉电的时候,ST脚电压掉到5V以下的速度比VCC脚掉到7V以下的速度要快,从而MOS进入到驱动能力不足的状态,如果输入端上电快速开关的话,MOS管就会一直工作在欠驱动状态,导致结温上升摧毁MOS,芯片和检测电阻,及与芯片相连的元器件,解决的方法也很简单,只需加大ST电容,让VCC脚电容的容量小于5倍ST脚电容容量,就可以根本上解决这个炸机问题(可用示波器观察ST脚和VCC脚的掉电时间),建议使用:ST电容,470nF,vcc电容,2.2UF 或者:ST电容,1UF,VCC电容,4,.7UF
能找到原因是好事。
但依靠电容来控制有些麻烦,
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