这个不是很难吧???就是选材困难了点。。。
现在的活动有一个是高电压输入的。。。可以参考一下。。。
可以参考一下这个应用文档
http://www.infineon.com/dgdl/AN-HV-Bias+Rev+1-1+mar11th+2008.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30431ff98815012019b0809c3f2d
AN-HV-Bias Rev 1-1 mar11th 2008
这么小用不到双管反激,高压宽范围 ,我实际做过,注意MOS的选型就行
补充一个PI的应用
http://www.powerint.com/en/community/papers-circuit-ideas-puzzlers/circuit-ideas/-high-voltage-input-switching-power-supply-usi
对于这个应用只要单管反激就可以做到
将占空比设定低一点,选用1000V左右的MOSFET,基本可以满足你的要求,具体你可以计算下,因为你的功率不是太大,所以初级电流大点也是没有太大问题,但效率可能不是最优的
不要想着用什么双管反激,对于大功率输出的高压输入的电源倒是有优势,你这个电路没有必要使用;但任何电路,最简单的电路就是最稳定可靠的电路