MOSFET开关 尖峰 无法消除，请诸位专家指点

小弟做了一电路，用PWM驱动N MOSFET，实现电流的控制（瞬态70A左右，平均30A~40A）。

MOSFET驱动电压为12V。频率 20KHz，一共6个80A 60V的 MOSFET并联。

在调试的过程中发现，MOSFET 的S极的反向脉冲很高，最高达到了80V。

尝试了直接接反向二极管（跨接在负载上面），没有效果

尝试了在电源端、MOSFET Source极接1uF、0.01uF CBB电容到地，也没有效果

后来尝试了多种参数 RCD吸收电路，有一些效果。我尝试的RCD参数，R 5K~10K、C 0.01uF~0.1uF的组合，还有R 5K、C 1~2uF的组合，还有R 50~100欧， C1 ~2uF的组合，快恢复二极管是用ST的STTH1602CT ， 200V 20A，一个和两个并联都试过。

以上组合都试过，效果都差不多。脉冲峰值降到了60V左右。

但这个仍然是很高啊，对外部干扰非常大，MOSFET发热也很厉害。

请问诸位专家，这个有什么解决方案吗？非常感谢！！