• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

PQ2620 变压器设计

请教PQ2620 变压器设计参数,输出48V /1A   用的是OB2263  请各位老大指点一下

全部回复(20)
正序查看
倒序查看
linug
LV.4
2
2012-07-13 15:24
 
0
回复
2012-07-13 15:52
@linug
[图片] 
初级会不会太少了。这样会容易磁饱和啊
0
回复
2012-07-13 16:47
@流失的明天
初级会不会太少了。这样会容易磁饱和啊

通压下初级匝数是会少些,不放心的话可增加匝数或按220v窄电压范围设计,对提高效率也有好处.

 

0
回复
2012-07-13 19:49
@linug
[图片] 
48V1A用连续模式去设计兄弟!
0
回复
yong168
LV.7
6
2012-07-13 20:22

全程DCM模式是不是会好点

0
回复
2012-07-13 20:53
@yong168
全程DCM模式是不是会好点

F=65K, IN90-264VAC,OUT 48V1A  

NP=34,NS=16,NA=5

LP=0.88MH

其实窄电压输入也可以用的

 

0
回复
amonson
LV.8
8
2012-07-13 21:39

最低电压时CCM,假设△I=IEDC,最大占空比0.42,工作频率65KHz那么变压器二次侧电流有效值为:(1A/0.58)*√(13*0.58/12)=1.37A,取4A/mm2电流密度,选0.6mm绕24圈(2mm档墙,刚好绕满两层)。

选择合适的输入滤波电容,使得最低直流电压为100V,那么n=100*0.42/(48*0.58)=1.5,所以初级圈数应为24*1.5=36。验算△B=100*0.42/(36*0.119*65)=0.15T,Bm=0.226T,可行。初级电流为1.37A/1.5=0.91A,所以选择0.5mm铜线,但为了绕满整层,将初级圈数增至42T(2mm档墙,刚好绕满三层)。

验算100D/[48*(1-D)]=42/24,D=0.457

电感量:L=0.8(100*0.457)2/(48*0.065)=535.5uH


0
回复
linug
LV.4
9
2012-07-14 11:06
@amonson
最低电压时CCM,假设△I=IEDC,最大占空比0.42,工作频率65KHz那么变压器二次侧电流有效值为:(1A/0.58)*√(13*0.58/12)=1.37A,取4A/mm2电流密度,选0.6mm绕24圈(2mm档墙,刚好绕满两层)。选择合适的输入滤波电容,使得最低直流电压为100V,那么n=100*0.42/(48*0.58)=1.5,所以初级圈数应为24*1.5=36。验算△B=100*0.42/(36*0.119*65)=0.15T,Bm=0.226T,可行。初级电流为1.37A/1.5=0.91A,所以选择0.5mm铜线,但为了绕满整层,将初级圈数增至42T(2mm档墙,刚好绕满三层)。验算100D/[48*(1-D)]=42/24,D=0.457电感量:L=0.8(100*0.457)2/(48*0.065)=535.5uH
团长的经验好贴,能不能写详细一点,我辈学习学习
0
回复
bdzn
LV.9
10
2012-07-14 12:07
@ymyangyong
通压下初级匝数是会少些,不放心的话可增加匝数或按220v窄电压范围设计,对提高效率也有好处.[图片] 
第二种的参数更合理些。但是我觉得这样子不能全电压了,应该是把B设置成0.15就差不多了。
0
回复
2012-07-16 19:56
谢谢各位老大的指点,但我按36:15:5   结果是MOS温度太高了,老化2小时就保护了。
0
回复
2012-07-16 19:59
@amonson
最低电压时CCM,假设△I=IEDC,最大占空比0.42,工作频率65KHz那么变压器二次侧电流有效值为:(1A/0.58)*√(13*0.58/12)=1.37A,取4A/mm2电流密度,选0.6mm绕24圈(2mm档墙,刚好绕满两层)。选择合适的输入滤波电容,使得最低直流电压为100V,那么n=100*0.42/(48*0.58)=1.5,所以初级圈数应为24*1.5=36。验算△B=100*0.42/(36*0.119*65)=0.15T,Bm=0.226T,可行。初级电流为1.37A/1.5=0.91A,所以选择0.5mm铜线,但为了绕满整层,将初级圈数增至42T(2mm档墙,刚好绕满三层)。验算100D/[48*(1-D)]=42/24,D=0.457电感量:L=0.8(100*0.457)2/(48*0.065)=535.5uH
感量是460UH
0
回复
2012-07-20 17:05
@流失的明天
初级会不会太少了。这样会容易磁饱和啊
应该差的不太多,要想感量取大的话,可以把初级线圈搞到32Ts,用0.45mm的线;次级搞到19Ts,用0.55mm的线。
0
回复
2012-07-20 17:06
@jiayanbo12345
应该差的不太多,要想感量取大的话,可以把初级线圈搞到32Ts,用0.45mm的线;次级搞到19Ts,用0.55mm的线。
感量可以取到550UH。
0
回复
2012-07-20 17:08
@流失的明天
谢谢各位老大的指点,但我按36:15:5  结果是MOS温度太高了,老化2小时就保护了。
增大MOS管的散热片面积试试呢?
0
回复
2012-07-20 20:20
@流失的明天
谢谢各位老大的指点,但我按36:15:5  结果是MOS温度太高了,老化2小时就保护了。
用我的试试看
0
回复
roc19850
LV.5
17
2012-07-23 09:11
@linug
[图片] 
效率低了啊。
0
回复
ssuge
LV.4
18
2012-07-23 16:12
**此帖已被管理员删除**
0
回复
yinjin
LV.3
19
2013-08-26 08:40
@ssuge
**此帖已被管理员删除**
这个好!
0
回复
2014-12-08 14:34
@linug
[图片] 
这位朋友。你这个软件能给我发一个给我吗?在此先谢谢你了。我是刚刚才开始弄这个电源这一块,有很多不懂的。
0
回复
LamCyunSing
LV.1
21
2019-05-18 11:19
@ymyangyong
通压下初级匝数是会少些,不放心的话可增加匝数或按220v窄电压范围设计,对提高效率也有好处.[图片] 
层主你好,请问能帮我计算下CCM模式下输出为40V1A的反激变压器匝数吗,谢谢
0
回复