最近做了一款LED防水驱动电源，参数是18S1P，也就是输出电压为3.2*18=57.6V，电流大小280ma，功率控制在18W·..
调试基本算是成功，负载调整以及电压调整率较好，大约10ma内!
元件余量设计充裕，MOS选型为4N650，在264V测试时候MOS峰值电压最大530V。整机效率0.9····
但是问题一：出来了，我在高压264V输入老化一段时间后，MOS烧掉，同时保险丝被烧断，可能这个时候大侠们会觉得这个肯定是MOS余量不够造成的，但是烧机现象就是只坏MOS和保险，IC以及采样电阻完好！重新换保险和MOS后，工作又正常！ 当时我就怀疑是MOS的品质因素所致，但是一直没有找到一个完美的理由去说服自己MOS品质有问题····所以一直很纠结！！网大侠们给予一定的解释···
问题二：在没有灌胶前电器参数一切正常，高低压输入也很正常！开关机测试以及高低压老化都正常， 但是在灌胶后 就有高压闪灯的情况出现，特别是264V是一定不启动的，变压器反复频震，有一次反复频震还导致MOS坏掉（现象和问题一一样）！
这个时候领导说是我的EMC没有搞好，因为的MOS是折弯90度放下去的，离IC距离教近，我当时也信这样的说法！但是我自己还是做了实验，，，
实验一：直接把MOS竖直起来，远离IC，重新灌胶。 最后测试还是一样的问题，高压闪灯，故排除是因为MOS辐射IC所致！
实验二：在MOS管D脚套磁珠，90度折弯放置！ 灌胶处理，最后测试，电压可以升到250V，但是直接上电250V时候，MOS被击穿！
实验三：用热熔胶把MOS周围元件包裹，这样以此和灌封胶隔离，灌胶后测试 高压可以正常启动！
实验四：在试验三的基础上把热熔胶改为704胶，问题又回归到问题二上了！！
通过试验初步推断是因为胶的特性导致了电子元件的分布电容发生了偏移，眼前问题是解决了，但是没有一个合适的理由让我去解释问题的归根原因，所以发求助帖期待大侠们的精彩指教！！！
通过试验一到试验四，最后我觉得磁珠和打热熔胶一起配合是较好的选择，目前做了4台样机，灌胶了，待胶干后再测试！！！
胶为A+B胶···
变压器用的EFD25的，参数为68:45:10，感量０．６····
调试基本算是成功，负载调整以及电压调整率较好，大约10ma内!
元件余量设计充裕，MOS选型为4N650，在264V测试时候MOS峰值电压最大530V。整机效率0.9····
但是问题一：出来了，我在高压264V输入老化一段时间后，MOS烧掉，同时保险丝被烧断，可能这个时候大侠们会觉得这个肯定是MOS余量不够造成的，但是烧机现象就是只坏MOS和保险，IC以及采样电阻完好！重新换保险和MOS后，工作又正常！ 当时我就怀疑是MOS的品质因素所致，但是一直没有找到一个完美的理由去说服自己MOS品质有问题····所以一直很纠结！！网大侠们给予一定的解释···
问题二：在没有灌胶前电器参数一切正常，高低压输入也很正常！开关机测试以及高低压老化都正常， 但是在灌胶后 就有高压闪灯的情况出现，特别是264V是一定不启动的，变压器反复频震，有一次反复频震还导致MOS坏掉（现象和问题一一样）！
这个时候领导说是我的EMC没有搞好，因为的MOS是折弯90度放下去的，离IC距离教近，我当时也信这样的说法！但是我自己还是做了实验，，，
实验一：直接把MOS竖直起来，远离IC，重新灌胶。 最后测试还是一样的问题，高压闪灯，故排除是因为MOS辐射IC所致！
实验二：在MOS管D脚套磁珠，90度折弯放置！ 灌胶处理，最后测试，电压可以升到250V，但是直接上电250V时候，MOS被击穿！
实验三：用热熔胶把MOS周围元件包裹，这样以此和灌封胶隔离，灌胶后测试 高压可以正常启动！
实验四：在试验三的基础上把热熔胶改为704胶，问题又回归到问题二上了！！
通过试验初步推断是因为胶的特性导致了电子元件的分布电容发生了偏移，眼前问题是解决了，但是没有一个合适的理由让我去解释问题的归根原因，所以发求助帖期待大侠们的精彩指教！！！
通过试验一到试验四，最后我觉得磁珠和打热熔胶一起配合是较好的选择，目前做了4台样机，灌胶了，待胶干后再测试！！！
胶为A+B胶···
变压器用的EFD25的，参数为68:45:10，感量０．６····
