Antifuse-based Devices

   与SRAM-based技术不同，基于反熔丝技术的设备，编程需要一个离线的编程器。反熔丝FPGA的开发者列出如下优势：

   1、反熔丝FPGA一样是非易失的（关机后配置数据仍然保留），这就意味着它们的启动速度非常快，且不需要外部存储芯片来保存配置数据，节省了额外的物料成本以及PCB设计空间。

   2、反熔丝FPGA的另一个优势就是它们的内部架构设计是抑制噪声的，这就意味着它们可以过更高的EMC标准。这就在军航天中的应用就非常的有意义，因为基于SRAM-based技术的FPGA由于大干扰是会影响SRMA中的值，导致翻转，程序出错。相比之下，一旦反熔丝的FPGA编程完，它不会被EMC改变，几乎无这种可能。

   PS：这里说个题外话，应该注意的是，这些设备中的任何触发器对EMC都很敏感。因此，工作在复杂环境下的芯片，对于EMC的干扰，必须拥有多重的抗干扰冗余设计。

   3、最大的优势其实在于基于反熔丝的FPGA由于其技术特性，编程结果都在其芯片内部，这就导致了几乎不可能对其进行逆向工程。每个反熔丝的编程都是逐个进行的，当编程完毕时，就有可能设置一个特殊的安全保险丝，它随后阻止任何编程数据(以存在或没有保险丝的形式)从设备读取出来。即使是将FPGA进行磨片逆向，其反熔丝也是在内部金属氧化层内，使得逆向工程几乎不可能成功。

4、相同规模的基于反熔丝的FPGA的功耗只有SRAM-based FPAG的20%，运行功耗显著较低，其内部的信号传输延迟更小。同时，同性能规格的反熔丝要比等效的SRAM单元小得多，所以芯片尺寸也会更小。

   当然，它也有不方便的地方：

   它是OTP性质的（One Time Programmable）。这就使得它不适合项目初段的开发任务。

   内部反熔丝需要额外的编程电路，每个反熔丝都需要一个编程晶体管。这是额外开销。

   基于反熔丝技术的FPGA通常要比SRAM-based FPGA总是要落后几代，性能上的差距不小。

   现在项目中应用到反熔丝技术的FPGA，基本不多，只有在复杂环境，高可靠性要求的项目中，才会用到。因为随着技术的发展，SRAM-based的FPGA的性能要比反熔丝FPGA高太多。

E2PROM/FLASH-based Devices

   这个是三大类架构中的最后一种，基于FLASH编程技术FPGA。

   基于E2PROM或flash的fpga与SRAM类似，它们的配置单元通过长移位寄存器式链连接在一起。一样可以进行离线编程，同时有些一样可以进行ISP，但是花费的时间一般是SRAM的三倍左右。

   但是，它一样有以下优势：

   1、与反熔丝一样，是非易失的，上电快速启动。

   2、在保密性方面，使用了密 钥等方式，保护了配置程序的安全。一旦对FPGA进行了编程，就可以加载用户定义密钥(位模式)以保护其配置数据。在密钥被加载之后，从设备读取数据或向设备写入新数据的唯一方法是通过JTAG端口加载密钥副本。

   3、双晶体管结构的E2PROM和FLASH单元尽管是单晶体结构的EPROM体积的2.5倍，但是依旧要比SRAM串行架构单元要小的多，所以，一样可以做到芯片尺寸更小，以及信号延迟更低。

   同样，也有不小的劣势：

   工艺比SRAM FPGA要复杂，性能也比其要落后几代。最重要的一点，由于其内部架构原因，有很多的上拉电阻，导致其静态功耗较大。

   不过Actel旗下也有基于FLASH架构的低功耗FPGA。

Hybrid FLASH-SRAM Devices

   最后，介绍一种比较新颖的架构，FLASH-SRAM混杂架构。分别在其不同的侧重功能点，选择了优势的架构，集合在一个芯片上，使得两者的优势共存，劣势互补。

   下一章将介绍FPGA的粗细颗粒之分以及逻辑单元块的介绍。