以下内容整理自电源网、电子星球学习营，感谢群友的互助与分享。营内资源未经允许请勿私自传播，感谢配合哦。
精华问答一（宽禁带直播交流群）
缘分:
请问一下，CAN芯片5脚悬空行吗？CAN布线有讲究不？
风雨同舟:
有，高速的。
缘分:
用等长或是不允许别线交叉。
风雨同舟:
尽量布在输出端。
省钱高手怪点点:
不需要。
Dimon:
@缘分 你距离长的话，串canh59Ω，串canl59Ω；距离短，悬空没事，外界干扰多的话也建议加一下。
缘分:
往哪里加59？
Dimon:
5-6 5-7之间。
省钱高手怪点点:
为啥59？
缘分:
5脚不是应该接vcc/2电压吗？
Dimon:
5角是个基准电平，以这个基准来解析canh和canl的电信号。@省钱高手怪点点 canh 和canl 之间阻抗挂120Ω，为了匹配基准电平，应该是60Ω
省钱高手怪点点:
那为啥是59不是60呢？
Dimon:
60Ω电阻不常见，不在标准电阻之列，用59居多。如果5脚悬空，canh和canl之间接120Ω。如果要引入5脚，就分别接120Ω的一半。
省钱高手怪点点:
那如果总线上有10个设备呢？
Dimon:
理论做法是首尾加120Ω。实际就我个人来看，一般使用中每个节点都加，没太大影响。
风雨同舟:
公司串了5.1K电阻，阻值大小和 canh 、canl电压有关吧？
Dimon:
看你节点数。120Ω都只是经验值，还要算线长啥的，反正我都不计算，直接挂两个59Ω，计算是为了 更好的特征阻抗匹配，经验值拿起来就用省事。@风雨同舟 你说的串5.1k是canh 和canl的上下拉电阻吧？常见的还有1k。canh和canl 之间一般都是120Ω左右 。就是系统计算也不会差别那么大，也许是我没接触过canh和canl之间串那么大的。
缘分:
用加TVS管吗？
Dimon:
加tvs只是保护，通信总线，你不加不影响正常使用。
缘分:
是保护CAN芯片吗？为什么SW_3V3用0欧电阻而不像其它那样用磁珠呢？
电子白板专用电源:
实际就是为了EMI，布线而设定的。
缘分:
0欧电阻是为了EMI?
电子白板专用电源:
这个电路是为了EMI，0是为了布线不糊涂。3V3,SW_3V3 实际都是3.3V,GND，SW_GND，实际都是地。但是他们又不能交叉，所以用0欧姆最后接在一起。
缘分:
磁珠也是吗？
电子白板专用电源:
磁珠也可以，但是磁珠还有另外的意思，滤波。这个电路应该是用于ARM 系列的高速板。
精华问答二（PSIM仿真技术交流群）
旅行zhai:
各位好！第一个是软件里的电路PFC电感电流波形，第二个是我复制了一个，但是第二个PFC电感里的仿真波形就不对了，为什么？
Nemo:
仿真时间设置不同
August:
那个像时钟一样的也要一样，左上角那个。
旅行zhai:
这个时间影响波形吗？时间是不一样。
August:
步长要一样。
旅行zhai:
我再重新设置一下。
精华问答三（电源学习1营）
王瑞 :
请教个问题，在笔记本充电时，对于3S1P电池（标压11.5V）charge IC输出给电池的充电电压是多少？是13.2V（电芯满充电压4.4V*3）还是15V（5V*3）？谢谢
前任吉他手:
现在的锂离子电池充电限制电压4.4V居多，4.4x3=13.2V。锂离子电池充电限制电压有4.2V4.35V4.4V等几个版本，具体看电池的技术规格书。
王瑞:
@张海涛-助理工程师-成都 感谢答复，不太理解的是，看华为/opo的手机charge IC给电池的都是5V（尽管电池也是4.4V的禁充电压）
德考拉:
这个要看电池，电池的种类很多。看厂家要求。
前任吉他手:
手机内部有充电电源管理ic，会把5V降压到4.4以下。不是所有手机的充电，都是5V，具体看手机的快充充电协议。
德考拉:
二极管有0.7v压降。
缘分:
9v
德考拉:
说的对，现在还有9 12的，12v
前任吉他手:
最终电池终端的电压都是4.4V以下，你知道这个就OK
悠然山主:
5/9/12/15/18/20，主流充电头，看你的充电协议。
王瑞:
@悠然山主 谢谢，请问这是笔记本的吗？
前任吉他手:
笔记本一般19.2V和20V居多，19.5V的也有。笔记本电脑19v19.5v20v比较主流，也有12V的。@王瑞
王瑞:
感谢！
精华问答四（Altium设计学习1营）
缘分:
走线交叉处能加滴泪吗？
Chu_yi:
可以的，用快捷键T+R进入设置界面，然后选择你要加泪滴的方式和样式。
波浪涛涛:
英文模式下输入，别用快捷键。
javike:
常规操作
Farmer_刘:
走线交叉处能加滴泪有好处，差点的铜箔不容易剥离。
缘分:
这个标志要自已画吗？
繁星:
软件是AD还是cadence
缘分:
Ad
繁星:
找个图片用画图板改成黑白的PNG格式，在脚本里倒入就可以了。具体教程网上查一下，有很多。
缘分:
ok
精华问答五（PSIM仿真技术交流群）
缘分:
这个二极管在这里有用吗？
古月填作胡:
吸收线圈的反向电流。
缘分:
4148行吗，用不用改肖特基？
只色不戒:
速度越快越好。
缘分:
快恢复二极管。
古月填作胡:
4148可以。
江玉霖:
感性器件需要续流。
昨夜星辰:
蜂鸣器的一端都接地了，这个二极管就没必要了。
精华问答六（电源网活动福利群）
武略的朋友:
请教一下mos管的导通损耗如何计算，有例题最好。
王生-功率mos:
@武略的朋友 MOS规格书上都有，看耗散功率。
武略的朋友:
Mos的开关损耗，这个一般都是要计算的。
张夜雨:
损耗 = 导通损耗 + 开关损耗，导通损耗 = I^2*Rd，开关损耗：开通过程损耗 + 关闭过程损耗
昨夜星辰:
这个算的其实也不准，它的不同温度下啊，RdS也不一样。
张夜雨:
所以一般手册上都给给一个测试条件，比如25度条件下的测试值。
武略的朋友:
@张夜雨 有公式没？这需要量化。
张夜雨:
开通过程和关闭过程的比较复杂，我还真没认真算过，一般就算了个导通损耗。
武略的朋友:
@张夜雨 谢谢。
武略的朋友:
开通过程损耗和关闭过程损耗这两个损耗怎么计算呀?@张夜雨
张夜雨:http://www.elecfans.com/d/1008046.html，你参考一下。
武略的朋友:
谢谢。
精华问答七（MOSFET学习2营）
林国荣:
请教一个问题，为什么开关电路中，有些MOS管在关断时DS尖峰电压超过了他的耐压值不出现异常，能吸收能量不大的尖峰，有些品牌的不行。是那个参数问题，可以有效测试出来对比吗？
国瓷电容(MLCC):
这个是芯片问题，有些芯片抗压能力超强。正常芯片>600V的应该瞬间可以去到720的。
张硕:
我也有这个疑问，耐不耐搞是不主要是续流二极管强不强啊
林国荣:
@国瓷电容(MLCC) 正常的超过自己的耐压会钳位的！
国瓷电容(MLCC):
这要看芯片设计，正如刚才张工所说，续流二极管作用；有些芯片设计不一样。其实可以把芯片剖开，看看里面损坏为电压还是电流还是其它因素，然后再来分析最好。
张硕:
谢谢。
林国荣:
怎么看是电压损坏还是电流损坏？
吴享林:
边缘栅极处有小的击穿点基本上是电压型损坏，中间有大面积击穿的是电流型损坏。
林国荣:
奋斗:
可以理解这个是电压损坏对吗？@吴享林
林国荣:
我们在这个全桥电路中使用的IFR3205(国产代替品）
吴享林:
是的。
奋斗:
好的，谢谢。
猪:
我看着有大面积损坏，为啥不叫电流型损坏。
林国荣:
有可能电压损坏后再大电流损坏！
奋斗:
并联使用，只要一个电压损坏了，其他的驱动不会停，就是电流损坏。
精华问答八（MOSFET学习2营）
猪:
各位，数字电源和模拟电源中间为啥加了一个磁珠和电阻？
深圳市芯茂微电子:
抗干扰，EMC。
猪:
我之前见得都是加磁珠，为啥还加个电阻呢？
张硕:
那是虚线，你看这资料是不给你提供了参考电源的电路啊。
人到中年:
数字地干扰大，数字电路自身抗干扰好一些，模拟电路抗干扰差，用0欧电阻独立分开，两种回路电流不互相影响，减少干扰
黄远锋:
磁珠主要滤高频10MHz以上，电阻抗低频干扰，牺牲点效率。
猪:
好的，感谢。