前面介绍的Ap法只解决了波形系数问题，在公式中仍然存在两个未知参数Jm和Bm需要确定，一般根据经验值Jm取300~500A/cm^2，Bm取0.1~0.3T。最优取值还需要后期的不断修改、验证，要解决电流密度Jm的取值问题可以采用一种Kg设计法，下面就逐步对Kg法展开推导。
首先设定初级绕组损耗等于次级绕组损耗（也可不等），设铜损系数α=Pcu/Pin，根据绕组损耗公式：
可以分别由等式的左边或右边对Kg法进行推导：
1、由等式左边进行推导
公式（1.2）是根据前面的设定令初级绕组损耗等于总铜损的一半。
公式（1.3）是对电磁感应方程两边做平方处理。
将上述两组方程等式的两边分别相乘、整理可得Kg法表达式，其推导方法跟Ap法类似，这里主要介绍第二种推导方法。
2、由等式右边进行推导
由公式（2.1）可推出电流密度Jmp表达式：
对Ap法等式两边做平方处理并将电流密度Jmp单独提取出来，如下：
将公式（2.2）的电流密度表达式代入公式（2.3）中并整理得：
最后得出Kg法表达式如下：
Kg法也可以有其它表达方式，比如不采用波形系数k而是用电感L来表述。
首先用公式把k和L联系起来
整理得：
将公式（3.2）代入原Kg方程并整理出新的关联L的Kg表达式：
如果电路为临界模式则Don*Uin-Ipk*L*f=0既方程中加号后面项都为零，公式变为：
初级绕组的直流电阻R表达式可变换如下：
将公式（3.4）代入公式（3.3）最后得到临界模式下关联L的Kg法表达式：
在参考资料中常见的Kg法表达式为：
对比二者只是常量系数不同。
上述Kg法中只考虑了直流电阻损耗，后期可以加入交流电阻损耗进一步完善磁芯设计法。