半导体材料特性参数表
从最常用的硅（Si）材料，直至宽禁带甚至超宽禁带的半导体基材，其种类繁多，这里我们只是列举一些我们常用功率半导体材料的特性参数，如下表是硅（Si）、碳化硅（专指4H-SiC）和氮化镓（GaN）材料的特性参数，表中材料参数也代表了以这些材料为基础的器件本身特性，我们后面会列举这些参数对应其器件的本身特性。
<常用半导体材料特性参数表>
特性参数解释
热传导率λ：也称为热导系数，是物质导热能力的量度，表征了物质传导热的能力，其定义为单位温度梯度（在1m长度内温度降低1K）在单位时间内经单位导热面所传递的热量，热导率的单位为瓦每米开尔文-W/（m·K）。
什么是禁带、禁带宽度、价带和导带？
首先了解一下半导体器件涉及到的固体物理相关知识，简单介绍一下与之紧密相关的能带理论知识，因为以下几个定义是界定绝缘体、半导体以及导体的基础。
（1）禁带和禁带宽度：价带最高能级与导带最低能级之间的能量间隙，禁止电子存在的禁区，代表了电子禁区，即为禁带；绝对零度T=0K（-273.15℃）即热力学零度时破坏共价键所需要的能量Eg为禁带宽度，禁带宽度是一种能量衡量，单位是电子伏（eV）
1eV=1.602 x 10-19J
（2）价带：通常是指半导体或绝缘体中，在绝对零度T=0K下，能被电子占满的最高能带，即是能量最高的电子占据带，也是导带下的第一个能带，是由价电子分裂的能带。从费米能级来看是最高层充满电子的能带，具有的能量低于费米能级EF时被称为价带，描述价带最大能量用价带顶EV，其中V代表价（Value）含义。
（3）导带：自由电子形成的能量空间，即参与导电的能带，根据晶体种类不同可为未满带或空带；也被称为传导带。从费米能级看，其能量高于费米能级，它是比价带能量更高的能带，即电子未填满的能带。描述导带最低能量用导带底能量用EC表示，其中C代表传导或导电（Conduction）含义。
<导带和价带及禁带宽度>
注：T=0K，这是绝对零度，也就是-273.15℃，如果你听到有人说温度为20K，那么对应我们熟知的温度就为：-273.15℃+20℃也就是0K+20K。