目前我了解的2类IC设计模式：PI-集成MOS的开关方式；ON/O2等控制器+MOS分离的PWM工作模式进行分析！
基本的反激变换器原理图如下所示，在需要对输入输出进行电气隔离的低功率<75W～的开关电源应用场合，反激变换器（Flyback Converter）是最常用的一种拓扑结构（Topology）。简单、可靠、低成本、易于实现是反激变换器突出的优点；接下来我将电源的关键参数的设计&工作模式进行说明！
我们先来确定系统的输入输出参数，进行开关电源关键参数的分析设计；关键参数我们来分析FLY 的反射电压VOR 与 工作模式KP或 KRF/KRP的设计！
举例说明：先进行关键参数分析
上面原理图设计要求：90VAC-265VAC的全电压范围；
对应的公式计算应用 100VRMS–Min 来计算输入电解电容的纹波电流
输出规格：
12V-2A /2.5A & 110V-0.42A/0.5A;
1.对高效率要求的VOR 设计参考(我的设计经验)
对于85VAC-265VAC(通用)输入电压范围，VOR推荐：80V-110V最佳范围
对于165VAC-265VAC(国内)输入电压范围，VOR推荐：100V-120V最佳范围
分析如下：
变压器性能相关参数设计分析：
使用基本计算公式；我们将计算公式进行EXCEL自动计算，从而对比参数设计！
计算参考如下：
A.VRO=80V LP=280uH时 NP=26圈
B.VRO=90V LP=280uH时 NP=30圈
对比VRO=80V与 VRO=90V 时其变压器的原边圈数有差异；VRO=80V时有最小的圈数；其漏感最小有好的交叉调整率和高的效率！（实践测试一致OK）
2.工作模式分析KP/KRP
对于关键参数FLY反激变压器，KP=KRP作为反激变压器中的灵魂参数，该如何对其进行取舍，值得我们深入探讨!
工作模式：即电感电流工作状态，一般分DCM、CCM、BCM三种(定性分析)。
KP/KRP：描述变压器/电感电流工作状态的一个量(定量计算)；实际意义；
只要原边电感电流处于连续状态，都称之为CCM模式。而深度CCM模式(较小纹波电流)与浅度CCM模式(较大纹波电流)相比较，电感量相差好几倍，而浅度CCM模式与BCM、DCM模式的各种性能、特点可能更为相似。显然需要一个合适的参数来描述所有电感电流的工作状态。通过设置KP/KRP值，可以把变压器的电感电流状态与磁性材料、环路特性等紧密联系起来。我们也可以更加合理的评估产品设计方案!!
A．对于集成MOS的PI系统对KP的定义
连续模式CCM：如果在次级电流下降到零之前MOSFET开通，则电源工作在连续工作模式。
非连续工作模式(DCM)：在非连续工作模式下，当MOSFET开通时，次级电流为零。
B.对于分离的PWM控制的ON/O2系统对KRP=KRF的定义
C.KP=KRP=KRF的工作模式分析
KRP较大时(特别是DCM模式)，磁芯损耗一般较大(NP较小)，气隙较小(无气隙要求，仅满足LP值)，LP较小，漏感会较大，纹波电流较大(电流有效值较高)；
KRP较小时(特别是深度CCM模式)，磁芯损耗一般较小(NP较大)，气隙较大(有气隙要求，平衡直流磁通)，LP较大，漏感会较小，纹波电流较小(电流有效值较低)；
注：KRP较小时，气隙也是可以做到较小，但这需要更大的磁芯和技巧；
KRP较大时，磁芯损耗也是可以做的较小，但这同样需要更大的磁芯和技巧；注意：相同磁芯、开关频率，DMAX，DCM模式比CCM模式下的输出功率更大；其实这是不完全对的(至少不符合实际,因为需要限制DMAX，导致空载容易异常)，原因在于DCM模式下磁芯损耗会超出你的想象(电应力也会如此)；DCM模式下，如果想大幅度降低磁芯损耗，唯一的方法是增大NP，而过大的NP会与LP形成现实冲突(DCM模式下，LP一般较小)，造成磁芯气隙超出你的想象(漏感也会如此)；有没有方法解决这种现实矛盾?答案应该是肯定的，即选择合适的磁芯结构，如长宽比小且AE大的磁芯(PQ系列)，或许会比长宽比大且AE小的磁芯(EER、EEL系列)更加有优势。
(在DCM模式下，如果限制DMAX，则会比CCM模式下输出更大的功率)
KRP较大时，增大DMAX可以在一定程度上降低原边的纹波电流及有效电流值，但是次级的电流应力会更加恶劣，这种方法(增大/减小DMAX)只适合平衡初次级的电压、电流应力，应该不是一种很好的设计手段。
KRP较大时，空载启动困难，特别是低压大电流输出，且空载无跳频(宽范围AC输入时尤其如此，如3.3V10A，特别是超低压输出)；
KRP较小时，开关损耗较大，特别是高压小电流输出，且开关频率较高(窄范围AC输入时尤其如此，如100V0.5A，特别是高压输出)；
注：非低压大电流产品(如12V5A)，KRP较大时，DMAX不能设计的过小，否则空载也会启动困难，且空载无跳频(宽范围AC输入时尤其如此)；
KRP较大时，动态响应较快，环路补偿比较容易(特别是采用电流模式控制)；
KRP较小时，动态响应较慢，环路补偿相对困难(特别是采用电压模式控制)；
KRP较大时，电感电流斜率较急，CS采样端对噪声影响不明显；
KRP较小时，电感电流斜率较缓，CS采样端可能会受到噪声影响；
注：电流模式芯片通常会比电压模式控制芯片的性能更加优异，但并非所有情况下都是如此。如果输入电压较高，输出功率较小，电流模式芯片可能无法检测CS电压，低压大电流输出产品在空载时也会出现这种情况(对宽范围AC输入，低压大电流输出〈甚至非大电流输出产品〉，如果KRP较大，DMAX又较小，空载极有可能出问题，或许轻载降频、提高VCC都不一定有效，但是采用某些电压模式控制芯片，可能会避免此问题)。低压输入，输出功率很大时，电感电流斜率较缓，CS采样电压(电阻/互感器)可能很容易受到干扰，如果负载变化较大，也可能会导致CS端采样异常。也不是所有电流模式芯片均比电压模式芯片要好，这需要综合考虑各种因素，包括外围电路的复杂程度。
超高压输入时，KRP应该设置较大(最好是QR模式)，开关损耗会较低；
超低压输入时，KRP应该设置较小(最好是深度CCM模式)，漏感会较低；
推荐KP=KRP选取法则
对于FLY的关键参数的设计就是先设计好电气参数，如初次级的电压、电流应力，评估各种损耗温升，考虑到PWM芯片、MOS、二极管各种的特点(先确定好)，让FLY-反激变换器工作在最佳的工作状态。根据这个最佳的电气参数，我们来设计变压器参数，如NP、NS、气隙等等，最后通过更换磁芯或是微调变压器的参数结构设计，让整个变换器都工作在最合理的状态。参考上面的VRO=80V和VRO=90V的EXCEL的计算表格参数；
对于FLY的设计可以直接引用一些PI的资料，特别是设计流程、软件操作、芯片资料、包括部分设计思路等等都非常的简单易学！单并不代表PI的设计理念比其他公司更优秀，多年的PI产品的设计应用是我更熟悉些和了解，而且这些资料都有中文版本，内容详实，方便初学者追根溯源。
PI的变压器设计软件其实是非常不错的入门工具，熟练了也可以把它用来设计其它类型的芯片。现在又可以用来设计PFC、正激、LLC等拓扑，已经非常强大了，建议初学者可以多花点时间学习！细节后续再进行补充！