对于开关电源系统；
因为任何产品都要有电源来供电，此处没有处理好一定会影响到其它的地方。
不论是什么产品-它的辐射或传导主要由这个产品内部的敏感器件造成的。
对于电源产品主要的EMC器件是：
开关MOS管、开关变压器、输出整流二极管。
从综合角度来看，只要解决好这三个方面的协调问题EMC就不难搞定。
而解决EMC的方法概括来说就是：
消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。
a.消除就是用将干扰源通过热能的方式损耗掉，这种是制本的方式。
b.切除干扰传导的途径就是将干扰向外传递的路径切断，
使其无法向外干扰，也就是我们常做的滤波，屏蔽等方法。
c.疏导干扰源这种就是将干扰源引到不是敏感的器件及位置上；
如旁路，去藉，接地等方式。
如果对于EMC方面高效设计的细节可参考我的：
《开关电源：EMC-分析与设计》
我们来通过设计细节来探讨开关系统的EMI-辐射问题;
1.MOS管驱动电阻的设计对开关电源的辐射有比较大的影响；通过对方波及脉冲波的傅里叶变化，驱动电阻增大其谐波分量就会减少；开关电源要根据选择的IC和MOS管的参数情况，一般情况下MOS的驱动电阻最好能大于或等于47R。降低驱动速度有利于改善MOS管与变压器的辐射。如下图：
一般还有设计研发者，通过更改开关MOS器件来优化EMI设计的。
门极电阻值的大小，会影响MOSFET上升与下降沿速度（tr,tf）RR主管上升；
RF主管下降；也就影响了干扰源的频谱；F=1/(ЛTr)
MOS开关（DRV-f）速度就影响了干扰源源头的大小，过慢的DRV-f就会增加了MOSFET的开关的损耗；这时候要注意开关器件的温升是否符合标准了！
2.若辐射在30MHZ-80MHZ之间的设计裕量不够，还可适当地增加MOS管DS之间的电容值，以达到降低辐射量的效果。注意：这个电容我推荐要小于220PF；否则同样要注意开关器件的温升是否符合标准了！
3.在变压器与MOS管D极之间如果能串入一个磁珠，也以降低MOS管电流的变化速度，这个设计可以降低上面的EMI辐射，提高设计裕量。推荐这个做法来解决开关MOS的温升问题！！还有的可以调整上面的参数设计，三种手段同时施加；再配合我的：《开关电源：EMC的分析与设计》快速设计理论 可以轻松搞定开关电源的EMI的问题啦；
4.若在输入AC线上套个磁环再绕上3圈，如果可以降低40-100MHZ之间辐射值；那么转化在电路设计时，就可以在输入EMI滤波部分中串入磁珠或采用如下方法增加磁珠就会达到同样的效果。还有最简单的方法是在L,N回路中分别加上两个磁珠。
5.在输出整流二极管上套磁珠，建议要把磁珠套在其电压动点变化的地方，其放置在变压器输出接整流二极的地方；同时还要注意：次级输出整流二极管的钳位RC吸收电路，虽然di/dt比较小，但也尽量减少其环路面积，此环路对控制高频的EMI也很关键。