为防止电源使用者有意无意将输入引线接错导致电源烧坏，一般的DC电源会在其输入端加防反接电路，常见方式为串联二极管（串1只或者2对管组成整流桥）或者并联二极管（反接时短路使大电流流经保险丝，最终使保险丝熔断开路），这种保护方式简单粗暴，成本低，适用在小电流电路中。
原理图放在下图中。
但是这种电路放在大电流电路中并不适用，首先咱们计算下功耗，拿流过10A回路电流举例，咱们选择20A/100V的肖特基二极管和20A/100V的MOSFET作比较：1.查规格书（Diode规格书链接）中If vs Vf表格可知，Vf=0.72V@10A，所以二极管上功率P=Vf*If=7.2W；2.查规格书（MOS规格书链接）中Id vs Rds表格可知，Rds=0.03Ω@10A，所以MOSFET上功率P=If*If*Rds=3W。两者功耗差别还是比较大的，因此在大电流电路中使用MOSFET设计防反接电路更加适宜。
使用MOSFET设计防反接电路的优劣势也比较明显，优势：导通时回路电流流经DS，阻抗相当于MOSFET的Rds(on)，一般MOS的Rds都比较小，所以MOSFET的功耗很小，发热量也较小，这样就可以用较小的散热器，有利于实现产品小型化；劣势：如果用户将输入端正负极接反时，整个系统将不会工作。本人觉得使用的时候应该具体情况具体分析，适合自己的才是最好的。
下面将介绍防反接电路架构，注意以下电路中MOSFET的接法，D接输入端负极，S接后级负载端负极，工作原理：1.输入端正接时（上正下负），由于MOSFET存在体二极管，所以上电初始阶段S端被拉低，R1和R2分压，其中R2上分得的电压为MOSFET提供偏置使其DS导通，此后DS就像开关一样被打开，维持稳定工作；2.输入端反接时（上负下正），DS不通，无法构成回路，所以整个系统无法工作。
仿真结果（仿真使用IRFP250模型）：
输入正接：
输入反接：
错误接法如下图，反接时起不到保护作用：
MOSFET有两种接法，PMOS和NMOS，考虑到采购因素，我习惯性用NMOS多一些。同时也附上PMOS接法：
延伸电路：MOSFET在同步整流中的应用，可以把变压器输出绕组看成为电压源，和上述防反接电路是同样的原理，控制芯片：OB2007MP（附规格书）
其余常用同步整流电路：
