其原理是P区的空穴不仅吸引漂移区N-的电子同时吸引衬底或基底N+区的电子，也称为载流子双倍注入，二极管等半导体器件需要的阻断电压越高，则漂移区越宽，由于漂移区的掺杂浓度低，会造成明显的欧姆电阻，这个也是决定器件内阻的主因，会导致器件导通损耗增加等不利因素，而导电调制效应使得漂移区的载流子浓度上升，使得欧姆电阻大大降低。
导通时，使得原来漂移区的电子浓度升高，从而降低欧姆电阻，这种效应发生在具有双载流子参与导电的器件，如二极管、IGBT等，也就是说多子或电子参与导电的肖特基（Schotty）是不存在这种效应的，因此，尤其是高压硅基肖特基二极管，很难制造出性能超越普通PN结的二极管，由于漏电流大的问题，无导电调制效应导致的高导通电压都是限制高压硅肖特基二极管使用的重要因素。
< 双 载 流 子 器 件 中 导 电 调 制 效 应 示 意 图 >
注：对于具有漂移区的二极管，其结构通常如上图是PN-N+结构，这类二极管我们也称之为PIN二极管，I代表内部，也就是夹心的飘移层N-。