本篇就BUCK降压型电路设计过程作一个梳理，将各个元器件参数的计算方法汇总起来分享给各位工程师朋友，一为防止自己忘记，二为新手工程师朋友提供参考。本篇以OC5021B的原理图来讲解，其实各家芯片的外围设计很类似，完全可以根据芯片规格书类推。
第一步：功率电感计算
- 1.明确输入电压Vin，输出电压Vout，取合适的开关频率Fs，一般取50KHZ-1MHZ，具体视芯片而定；
- 2.确定占空比D。由规格书可知该芯片通过TOFF脚电容设定固定关断时间Toff，假设开通时间Ton，根据“伏秒法则”则有：
- 3.明确输出电流Io，计算电感纹波电流：
- 4.计算电感量Lp:
- 5.计算峰值电流Ipk，选择饱和电流：
- 6.计算电感有效值电流IL-rms与电感铜损功率，根据发热量来计算电流有效值：
第二步：MOS选择
- 1.明确最高输入电压Vin-max，MOS耐压选择:
- 2.MOS耐电流选择。在Ton阶段，MOS与功率电感串联构成闭合回路，此时Iq-max=Ipk，在Toff阶段，MOS关断，此时Iq为零，因此选择MOS时电流应满足：
第三步：续流二极管选择
- 1.耐压选择:
- 2.耐电流选择。与MOS电流类似，在Toff阶段，功率电感放电电流流经续流二极管，此时Id-max=Ipk，在Ton阶段，二极管截止，Id为零，因此选择MOS时电流应满足：
第四步：输入电容选择，输入电容主要影响输入电压纹波，纹波的产生主要有两方面，电容充放电荷和寄生等效串联电阻ESR。电容容量越大、ESR越小，导致输入电压纹波越小，性能也就越好，但是成本越高，因此设计时需要综合性能与成本折中考虑。
- 1.充放电纹波计算：
- 2.ESR纹波计算：
由以上两部分计算可以汇总下面公式：
第五步：输出电容选择，同输入端电容计算类似，也分电容充放电荷和寄生等效串联电阻ESR两部分计算。
- 1.充放电纹波计算：
- 2.ESR纹波计算：
由以上两部分计算可以汇总下面公式：
第六步：采样电阻计算，分为两种情况——峰值电流检测和平均电流检测，OC5021B采用的是峰值电流检测方式，采样电阻要求高精度，可以采用多颗电阻并联的方式得到合适的阻值及提高精度。
- 1.峰值电流检测
- 2.平均电流检测
第七步：启动电阻计算，考虑到外界环温变化及电阻本身的误差，设计时应按照Ivddmin*1.2≤Ivdd≤Ivddmax*0.8的原则，则有下式，当Vin与VDD电压差较大时，可考虑使用多颗电阻串联增加耐压。
第八步：MOS驱动电路设计，本次选择直接驱动的方式，如果在MOS Ciss很大的应用中可以使用推挽的方式驱动。
