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在中大功率buck电路中，由于需要尽可能地减小mosfet的导通电阻，以便提高效率，所以会采用NMOS作为上管，然而，驱动NMOS需要将门级电压抬高到高于VSW(Vin)+VGS，所以此时会用到bootstrap电路，本文就详细探讨一下bootstrap电路的这个话题。
一.为什么需要bootstrap电路
图1 BUCK电路中的PMOS和NMOS上管
首先，我们看一下两种BUCK电路的上管，图1左侧是采用PMOS的上管，由于其门极电压VGS是负电压驱动，因此只要将Gate拉到地电平就可以驱动导通，而右侧的采用NMOS的BUCK电路上管，必须要通过图中所示bootstrap电路，即电容和二极管串联电路，来达到抬高上管驱动电压的效果。这里还有一个原因需要说明，当达到同样的Rds-on时，NMOS比PMOS的成本要低，这也是采用NMOS作为上管的原因。
有一些开关电源芯片将bootstrap电容及二极管集成进了芯片中，但是有一些芯片需要外部接bootstrap电容和二极管，甚至于根据具体需要设计bootstrap电路，因此需要考虑到一些典型问题。
二.实际产品的bootstrap电路示例
MCP16301是一个典型的，常用于大功率电源或者嵌入式系统的辅助电源芯片，其封装为SOT23-6.
图2 MCP16301的封装
图3 集成上管NMOS开关
从其主要feature来看，明确指明，如图3所示，其集成的上管是NMOS的开关，导通电阻为460mohm。
图4 典型bootstrap电路
当输出电压比较适中时，也就是说，其电压为3V-5.5V之间时，可以将输出电压拉到bootstrap电容上，在下管续流导通时给bootstrap电容充电，并且通过串联二极管阻断在上管导通时，bootstrap电容反向为输出端释放能量。
图5 bootstrap电路的影响参数
Bootstrap电路采取不同的应用参数，比如不同的boot驱动电压等，是否对电源芯片的性能有所影响呢？从图5上看，在规格书电气特性中可知，上管NMOS的导通电阻, 是在3.3V的bootstrap电压下测得的，所以采用不同的bootstrap电压会影响上管的导通电阻，从而影响效率。而不同的bootstrap驱动电压对NMOS限流点也有一定影响。
图6 bootstrap需要的pin脚
图6中，我们根据bootstrap的相应的pin，也就是boost pin的描述来看，bootstrap电容是接在SW和boost pin之间，为上管驱动NMOS提供电压及能量。
三.bootstrap电路的启动
电路在刚开始启动时，bootstrap电容中并没有存储能量，所以需要用输入电压通过一个预调整电源给它预充电，如图7所示箭头部分路径。
图7 内部框图及booststrap pre-charge电路
由于此电路工作在非同步整流模式，因此，当轻载时，上管开关占空比很小，电流上升也不大，最终导致二极管续流时的时间也很小，这会只给bootstrap电容充电一点点时间，这是bootstrap电路的最差工作情况。当输入电压较高时，输入预充调整器可以弥补bootstrap需要的电容能量。
四.多种bootstrap电路满足多种工作状态
当输出电压在3V-5.5V之间时，输出电压可以作为合适电压去在稳态时给bootstrap电容充电，但是当输出电压比较低时，就需要其它方式，如图8所示。
图8 输入电压很高输出电压很低时的自举电路
如图8中，输入电压很高，输出电压又很低时，此时不能通过输出电压给自举电容充电，因此可以依靠输入电源这条路径，但是输入电压为12V,远超过NMOS需要的驱动电压，因此需要在给自举电容充电前降压，此处可以通过串联电阻RSH用稳压管来实现降压。
图9 输入电压很高输出电压很低时外部电压自举充电
当然，除了输入电源，也可以通过外部电源去给芯片bootstrap电容充电，如图9所示，不过这会增加一路外部电源需求，如果电路中恰好有这一路电源，则可以拿来用。
那么，如何计算串联电阻的阻值呢？
首先，我们需要得到流过串联电阻的电流，如图10所示，为流过串联电阻的部分电流，即充电bootstrap的电流，在5V驱动时为0.8mA典型值，由此得到最大的充电电流值IBOOST.
图10 bootstrap电容充电电流
图11 求解串联电阻
稳压管自身的电流约为1mA(以稳压管规格书为准），因此可以求得串联电阻的阻值，采用最小输入电压计算，以确保稳压电路在全电压范围内可以正常运行，如图11所示。
图12 串联稳压管实现高输出电压充电bootstrap电容
当输出电压或者输入电压很高时，例如36V转12V的DC/DC,也可以使用输出电压或者输入电压串接一个稳压管给bootstrap电容充电，如图12，13所示。
图13串联稳压管实现高输入电压充电bootstrap电容
五．Bootstrap电路的参数选择
如前面所示，bootstrap电路的二极管用于给电容充电提供一个路径，同时，它还避免当下管关闭上管开通时，bootstrap电容能量反向流回充电源。因此普通的快恢复二极管1N4148就可以满足这个需求，其耐压选择只要超过输入电压Vin，且留一定裕量即可。
当bootstrap电路的充电电压较低时，为了不减小电容上的真实电压，则可以使用肖特基二极管，尽可能地减小串联二极管压降，增加上管NMOS的门级驱动电压。
Bootstrap电容是为上管NMOS驱动电路补充驱动能量，需要bootstrap电容能够存储足够的能量去满足完全驱动NMOS上管，推荐使用0.1u的X7R电容即可，由于NMOS驱动电压不会超过5.5V,所以电容耐压需要确保超过这个电压，且有一定裕量。
如果应用场景是噪声敏感的场景，那么可以在bootstrap电容上串联一个几十ohm的电阻，避免开关噪声进入上管驱动电路，规格书推荐值为82ohm，RC的转折频率约为20k，则开关频率的噪声可以有足够的衰减。
六.bootstrap电路的仿真
图14 bootstrap电路的仿真
仿真电路图如图14所示，输入电压设为12V,输出电压设为4.8V,输出电流为300mA，输入源Vin和使能电压EN均使用阶跃脉冲，如图15所示。
图15 输入电压源设置
图16 输入使能源设置
如图16所示，输入使能源delay时间为200u，输入源delay时间为40u，便于先上电Vin，再上电EN信号启动。
我们做瞬态仿真，观察bootstrap电容两侧电压。
图17 瞬态仿真结果
图18 bootstrap电容电压
从图18仿真结果细节来看，VSW为开关节点，Vbootstrap电容在VSW为高时相应抬高，VSW为低时，相应变低，在整个开关周期中，VSW和Vbootstrap相减得到的差分电压是恒定的4.5V，这就是上管NMOS的驱动电压。
总结，通过分析bootstrap电路的稳态及启动工作原理，各种情况的自举电路变形，bootstrap的电路参数设计，最后通过仿真验证了关键节点的波形，对理解开关电源bootstrap电路有一定帮助。