1. 使能时间参数定义1
图 5.60 电源电路的使能时间参数定义1
如图5.60所示，降压电路的使能延迟时间（Enable Delay Time） t_(ON-DELAY) ，是在已经施加输入电源VIN的情况下，使能信号上升沿超过有效阈值（Enable Threshold Voltage）开始至输出电压单调上升到目标值10% 之间的时间。
软启动时间（Soft-start Time），又叫上升时间（Rise Time），通常表示为 t_(SOFT-START) 或 t_RAMP 或 t_RISE ，是在满载条件下，开关电源上电启动（施加输入电源VIN且使能信号有效）后，其输出电压从目标值的 10% 单调上升到 90% 所需的时间；这是基于横坐标“时间”定义的。
这里需要说明的是：
① 在有些开关转换器规格书中，将软启动时间定义为输出电压从零上升到目标值的 100% 所需的时间。
② 如图5.60所示，在纵坐标 V_OUT 大小确定的情况下，软启动时间 t_RISE 与输出电压上升斜率（Output Voltage Slew Rate）成反比线性关系。所以，有些器件如FPGA或ASIC对电源的软启动时间有要求，有些对输出电压上升斜率有要求，本质上都是相同的，是基于不同的参数维度评价相同的电源指标。
启动时间（Start-up Time） t_(START-UP) ，等于使能延迟时间 t_DELAY 与软启动时间 t_(SOFT-START) 之和。
关断延迟时间 t_(OFF-DELAY) ，是从使能信号失效开始至输出电压下降到目标值的 90% 所需的时间。
下降时间（Fall Time），定义为输出电压从目标值的 90% 跌落到 10% 所需的时间。
这里需要说明的是：
① 下降时间是与输出电容和负载阻抗强相关的变量。
② 与延迟软启动时间不同的是，通常期望更快的下降时间，这可以通过芯片内部或外部的快速放电电路实现，具体参考“6.2.6 输出放电功能 Output Discharge Function”章节相关内容。
2. 使能时间参数定义2
图 5.61 电源电路的使能时间参数定义2
图5.61所示，是另外一种电源电路的时间参数定义。
使能延迟时间——使能信号上升沿的50% 至输出电压上升到目标值的10% 。
启动时间——使能信号上升沿的50% 至输出电压上升到目标值的50% 。
关断延迟时间——使能信号下降沿的50% 至输出电压下降到目标值的50% 。
上升时间（软启动时间）和下降时间的定义是不变的。
这里需要注意的是，对于这类半导体业界没有统一定义的参数来说，测量结果是否合规，需要参考具体电源芯片的规格书。
图 5.62 电源电路的启动时间、使能延迟时间、软启动时间
TIPS：使能信号阈值电压这个参数，会在电源芯片或负载开关芯片的规格书中给出。图5.63所示，分别是TPS54561DPRT、LM5116MH/NOPB和TPS22810DBVT规格书中给出的使能信号参数。
图5.63 使能信号参数举例
3. 软启动是什么，获得的好处是什么...
软启动功能，就是为开关电源电路配置一个最小启动时间，在启动后能够使输出电压“单调上升”到目标电压值 ；其目的是，在开关电源启动时控制浪涌电流或输出电压上升的斜率。为开关电源配置一个最小的软启动时间，至少可以获得两个好处：
其一，可以有效抑制浪涌电流，以免在启动瞬间对输出电容充电的电流达到开关电源的电流限值，也可减小对开关电路本身以及后端负载的电流应力，且可减小输入电压的跌落 。
其二，配置合理的软启动时间，有利于输出电压“单调上升”，而不会出现抖动，这对上电时序有较高要求的数字器件尤其是FPGA器件更加重要，因为系统上电时输出电压的抖动可能会导致后端数字器件或FPGA器件发生闩锁效应(Latch-up)问题。
4. 软启动的实现方法...
软启动功能的实现，通常有内部软启动（Internal Soft-start）和外部软启动（External Soft-start）两种实现方法。
以TPS54560DDA器件为例，该芯片采用内部数字软启动（Internal digital soft-start）方法，在施加输入电压VIN且使能信号EN电平高于1.2V后，芯片开始工作，将在1024个开关周期内将输出电压从零转换至目标电压（意味着FB引脚的参考电压也从零上升到参考值0.8V）。在这种软启动方法下，具体的软启动时间大小与开关频率成反比关系，较大的开关频率对应着较小的软启动时间。
如图5.64所示，是该芯片的软启动时间计算公式，以及规格书中给出的软启动时间典型值。基于TPS54560DDA器件的降压电路典型应用的软启动时间测量，见“6.1.10 启动时间是否合规？如何测量？”章节内容。
图 5.64 TPS54560DDA器件的软启动时间计算公式及典型值
图 5.65 TPS54560DDA与TPS54561DPRT引脚对比
图5.65所示，从引脚功能看， TPS54561DPRT 器件比 TPS54560DDA 器件多了外部软启动/跟踪配置引脚SS/TR和电源良好引脚PWRGD。
图5.66所示，参考“ 2.2.3.3高边开关使用N-MOSFET 的非同步降压转换器 ”章节“ TPS54561DPRT非同步降压转换器的内部原理框图 ”，以TPS54561DPRT器件为例，外部软启动功能的实现方法是，SS引脚内置上拉电流源Iss = 1.7uA，外接软启动时间配置电容Css。
原理是，芯片上电后，由电流源Iss为软启动电容Css充电，该软启动电容上（即SS引脚上）的电压VSS从零开始缓慢上升到参考电压 或 ，同时输出电压会在相同的软启动时间内跟踪VSS从零开始单调上升到VOUT。
软启动电容上的电压变化率越小，输出电压VOUT的电压变化率也就越小，也就意味着由输出端浪涌电流 对输出电容充电速度越慢，不至于有很大的浪涌电流对输出电容充电，达到保护芯片或后级负载电路的目的。
图 5.66 TPS54561DPRT器件软启动相关参数