SiC MOSFET芯片并联的关键技术

由于SiC MOSFET芯片本身尺寸限制，以及对更高功率等级的追求，SiC 通常采用多芯片并联来提高器件的输出电流能力。由于开关速度很快，并联的两个MOSFET芯片间容易产生开关瞬态振荡，从而可能导致电磁干扰以及电流分配不均问题。并联背后的物理原因及解决方案，请点击以下视频。